Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)是强大的GaN功率半导体(下一代电力系统的未来)领域全球领先的企业。该公司今天推出了三款TOLL封装的SuperGaN®FET,其导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合行业标准,也就是说SuperGaN TOLL FET可以用作任何电子模式TOLL解决方案的开箱即用型替代品。新器件还提供了Transphorm久经验证的高电压动态(开关)导通电阻可靠性,这在基于厂家的主要电子模式GaN产品中通常是缺乏的。
这三种表面安装型器件(surface mount device,SMD)支持在1至3千瓦的平均范围内运行的更高功率应用。这些电力系统通常出现在高性能领域,如计算(人工智能、服务器、电信、数据中心)、能源和工业(光伏逆变器、伺服电机)以及其他各类工业市场,这些市场目前在全球的GaN TAM价值25亿美元。值得注意的是,FET是当今快速扩展的人工智能系统的最佳解决方案,这些系统依赖于需要高出传统CPU十到十五倍功率的GPU。
Transphorm的高功率GaN设备已供应给各个领域的主要客户,这些客户使用这些设备为其生产中的高性能系统供电,其中包括数据中心电源、高功率竞技PSU、UPSe和微转换器。TOLL设备也可以支持这些应用,而基于电动汽车的直流-直流转换器和车载充电器也可以支持,其中基础的SuperGaN芯片已经通过了汽车(AEC-Q101)认证。
SuperGaN TOLL FET是Transphorm提供的第六种封装类型,为客户提供了最广泛的封装选择,以满足其独特的设计要求。与所有Transphorm产品一样,TOLL器件利用了常关d模式SuperGaN平台带来的固有性能和可靠性优势。有关SuperGaN和e模式GaN之间的详细竞争分析,请下载该公司最新的白皮书《d模式GaN在Cascode配置中的基本优势》。该白皮书的结论与今年早些时候发布的一项正面比较一致。该比较显示,在商用280 W游戏笔记本电脑充电器中,72毫欧姆的SuperGaN FET的性能优于较大的50毫欧姆的电子模式设备。
SuperGaN器件凭借以下优势领先市场:
可靠性 < 0.03 FIT
闸门安全裕度 ± 20 V
抗噪性 4 V
电阻温度系数(TCR)比e模式低20%
采用硅基控制器/驱动器中现成的标准驱动器和保护电路实现驱动器灵活性
设备规格
坚固耐用的650V SuperGaN TOLL器件已通过JEDEC认证。由于常关d模式平台将GaN HEMT与低压硅MOSFET配对,因此SuperGaN FET易于使用常用的现成栅极驱动器进行驱动。它们可以用于各种硬开关和软开关AC到DC、DC到DC和DC到AC拓扑,以提高功率密度,同时降低系统尺寸、重量和总体成本。
零件 | 尺寸 (mm) | RDS(on) (mΩ) typ | RDS(on) (mΩ) max | Vth (V) typ | Id (25°C) (A) max |
TP65H035G4QS | 10 x 12 | 35 | 41 | 4 | 46.5 |
TP65H050G4QS | 10 x 12 | 50 | 60 | 4 | 34 |
TP65H070G4QS | 10 x 12 | 72 | 85 | 4 | 29 |
可用性和支持资源
审核编辑 黄宇
-
电阻
+关注
关注
86文章
5441浏览量
171418 -
AI
+关注
关注
87文章
29665浏览量
268004 -
定位
+关注
关注
5文章
1287浏览量
35310 -
GaN
+关注
关注
19文章
1906浏览量
72594
发布评论请先 登录
相关推荐
评论