随着hbm工程设备的商用化,半导体设备企业正在加快研究开发(rd)的步伐。
据业界11日称,韩美半导体(hanm)最近推出了为hbm设计的“dual tc bonder griffin”。hbm可以将dram芯片垂直堆叠起来提高性能,芯片组装置可以通过热压缩准确堆叠dram,从而保护数据路径。
sti公司与世界级半导体公司签订了HBM专用设备的供应合同,设备名为“Flux Reflow”(助焊剂回流焊)。flux reflow设备在半导体焊接点和颠倒的芯片逆流的过程中,生成传递电信号的导电高峰。sti提供flux reflow设备,减少焊接造成的污染,提供最佳室内环境。
装备企业east最近还实现了hbm专用晶圆压缩机的商用化。该晶圆压缩机进入hbm的“底部填充”过程,改善了半导体性能。充电工程是将dram堆积起来后,使绝缘树脂均匀凝固,消除dram之间的杂质,防止振动或湿度等外部因素造成的损伤。
据悉,SK海力士目前占据全球HBM市场的50%以上份额,三星正迎头追赶。近日三星电子副总裁兼存储部门DRAM开发主管Sangjun Hwang宣布,三星开始向客户提供高带宽内存HBM3E样品,且下一代产品HBM4正在开发中,目标2025年供货。
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