一、输入电容（input Capacitance）

SAR（逐次比较）型ADC的输入电容一般分为采样模式下的和保持模式下的电容。一般SAR型号ADC的内部结构如下：

图 1 SAR型ADC模拟输入结构题

当采样的时候S1开关闭合 CSH 电容与输入信号连接在一起到 AD 的输入端，采样的过程本质上是对CSH电容进行充电，这段时间称为采样周期。然后进入保持模式，在保持模式下 S1 开关断开 ADC 开始转换采样的信号，这一段时间称为转换周期。

那么在转换周期内输入电容就不存在了呢？显然不是这样的。一般在ADC设计中会在前端加一二极管来做输入保护。

图 2 ADS7040模拟输入通道

在保持模式下输入电容曰等于输入二极管结构的寄生电容，通常为人为在2~ 4pF。左图展示了一个常见ADC的模拟输入结构。包括了输入二极管，电阻、电容和开关。

二、输入漏电流

输入漏电流是指流入流出 ADC 输入端的直流电流。这个电流来自于ADC内部的ESD保护或者其他寄生参数。在进行模型分析时，可以把它看成一个直流电流源，加载到 ADC 的输入端口，通常是微安和纳安级。

图 3 STM32ADC内部结构

输入漏电流类似于运放的输入偏置电流，但是要注意的是电流的流向可以是任意方向的（途中也可以看出电流值是±1uA，并不是单向）。我们就以STM32的ADC为例进行分析。首先我们要知道RAIN 的值，依据手册它的值是会随着采样率发生变化。这个后面介绍。我们选取一个最大值50KΩ。漏电流选为流出1μA.这杨就会引入一个50mV的误差。

如果计算一下假设现在STM32ADC量程范围是0~3.3V,那么1LSB对应的电压值就是0.805664mV。这种误差会直接损失62LSB。对于大多数一般而言，它的大小和极性可能是不同的，这个取决于不同的器件，通常数据手册中给出的是典型值，但是实际中由于自己设计的手艺和厂商的工艺不同，要比给出的值大很多。一般对于最大值的估计，我们可以使用三倍的标准差来计算。