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激光器中单一横向模式的实现

芯片工艺技术 来源:芯片工艺技术 2023-10-19 10:45 次阅读

通常对于光通信用的激光器,波导设计用来实现单一横向模式。通过调节包覆层周围区域的厚度、脊型波导器件中脊形的刻蚀深度等,从而得到单模器件。对于激光器的重要性体现在以下几方面:

1) 模式形状会控制器件的远场图案。

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如上图,不做脊型波导设计的a芯片和窄脊型波导芯片b。远场图案对相干光源而言,实质就是近场图案(器件中模式形状)的傅里叶变换。

单模的远场图案对于脊形波导器件是一个适中的30°发散角的较远的光束,大面积器件的远场图案则拉的很长,面内发射几度,面外非常发射。对于后期耦合到光纤是是非困难的。

2)激光器需要单模的第二个原因:器件实现真正单波长非常必要。DFB激光是使用周期光栅制备单模激光器,这是基于有效折射率来反射单一波长,不同横向模式具有不同的有效折射率,因此具有DFB光栅的多模波导可以有一个以上的波长输出。

现实中,介质波导只是半导体激光器实际波导的简单一阶模型。激光器的波导区域也是增益区域,所以折射率具有与增益相关联的复数部分(或者说无电流时的损耗分量)。

光学模式成为“增益导向”以及折射率导向,而不需要真正精确的光学截止设计,这种增益导向的趋势是偏向单一模式的传播。实践中,根据折射率分布计算的远场和模式结构细节,可能与制造器件的测量值有显著不同。

作为波导, 半导体激光器将同时支持TE和TM模式,TE是横向电场,TM是横向磁场。但是在半导体量子阱激光器中,发射的光主要是TE极化。这是基于腔面处,TE和TM模式的反射系数不同,而且大多数激光器都本征的高度极化。

对于TE和TM模式,只有某些离散的角度可以成为导引模式,从而沿波导传播。就像标准具的中的光,必须经过相长干涉来使标准具支持某个特定波长一样,波导中的光也必须经过相长干涉,让特定“模式”得以存在,对应于特定的入射角。

在波导的分析中,典型的做法是固定波长,而自然选择其传播的角度,理由是一样的,假设腔体中的平面波源自底部边缘上的所有点,如果往返行程不是波长的整数倍的话,相消干涉将最终导致该光波消失。

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允许模式的定义是,两个等效点之间的净相位差是2π的整数倍。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:激光器中横向模式

文章出处:【微信号:dingg6602,微信公众号:芯片工艺技术】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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