单芯片超过 100Gb，三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片

三星电子昨天在“三星存储器日”上公开了存储器和闪存生产线的最新发展蓝图和日程，并公开了瞄准高性能计算（hpc）市场的hbm3e存储器半导体。

三星电子在此次会议上表示：“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram，目前正在开发的11纳米级dram将提供业界最高密度。”另外，三星正在准备10纳米dram的新的3d构架，并计划为一个芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。

闪存方面表示，第9代v nand的开发已经进入轨道，将以双堆栈结构提供业界最高的层数。三星已经确保了新型v-nand的功能芯片，预计将于明年年初开始批量生产。

三星昨天公布了名为shinebolt的新一代hbm3e dram，每引脚9.8 gbps，整体传送速度为1.2 tbps。目前，三星hbm3的8h和12h产品已进入批量生产阶段，hbm3e shinebolt样品已发送给客户。另外，还计划提供将新一代hbm和先进封装技术、委托生产产品相结合的“量身定做型一站式服务”。