三星电子昨天在欧洲三星代工论坛上发表了欧洲半导体产业匹配型事业战略和产品发展蓝图。三星表示,将加强欧洲汽车客户在特殊工艺方面的参与和合作,进一步巩固其业界最高委托制造合作伙伴的地位。
三星在会上表示,作为新一代汽车技术,正在首次开发5nm eMRAM。三星计划到2024年为止,用14纳米工程增加mbram产品有价证券组合,2年后升级为8纳米制程。
三星电子还发表了“先进工艺路线图”,即,到2026年为止,完成汽车应用2纳米工程的量产准备。另外,三星计划到2025年将目前的130纳米汽车bcd工程扩大到90纳米,并计划到2025年为止,在130纳米bcd工程上适用120v。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体产业
+关注
关注
6文章
509浏览量
34470 -
eMRAM
+关注
关注
0文章
8浏览量
2210 -
三星
+关注
关注
1文章
1630浏览量
31619
发布评论请先 登录
相关推荐
三星电子否认1b DRAM重新设计报道
据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新
三星否认重新设计1b DRAM
据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12
三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟
据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率
三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期
据韩媒MoneyToday报道,三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星
三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战
近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b
三星发布业界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日,存储芯片巨头三星电子宣布了一项重大突破:成功开发出业界首款24Gb GDDR7 DRAM。这款新品不仅在容量上达到了
三星首推第八代V-NAND车载SSD,引领汽车存储新纪元
三星电子在车载存储技术领域迈出了重要一步,正式宣布成功研发出业界首款基于其先进第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD——AM9C
三星将为DeepX量产5nm AI芯片DX-M1
人工智能半导体领域的创新者DeepX宣布,其第一代AI芯片DX-M1即将进入量产阶段。这一里程碑式的进展得益于与三星电子代工设计公司Gaonchips的紧密合作。双方已正式签署量产合同,标志着DeepX的5nm芯片DX-M1将大
三星首款3nm可穿戴设备芯片Exynos W1000发布
在科技日新月异的今天,三星再次以其卓越的创新能力震撼业界,于7月3日正式揭晓了其首款采用顶尖3nm GAA(Gate-All-Around)先进工艺制程的可穿戴设备系统
传三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
近日,据韩国媒体报道,三星在其1b nm(即12nm级)DRAM内存生产过程中遇到了良率不足的挑战。目前,该制程的良率仍低于业界一般目标的8
三星电子正按计划推进eMRAM内存制程升级
三星电子在昨日举行的韩国“AI-PIM 研讨会”上宣布,其正按计划稳步进行eMRAM(嵌入式磁性随机存取内存)的制程升级工作。据悉,目前8nm eM
三星发布中端市场Exynos 1480芯片,业界首款基于Arm v9架构
相较于去年采用5nm制程的Exynos 1380,Exynos 1480升级至三星自研的4nm(4LPP+)制程技术。新芯片包含四颗ARM Cortex-A78 CPU核心,主频高达2
三星Galaxy M35 5G新机现身GeekBench,搭载Exynos 1380芯片
这款旗舰级智能手机将采用三星自行研发的Exynos 1380处理器,高标准精心打造,采用先进的5nm制程工艺,突出表现力强的Cortex A78内核共有四核心,分别运行频率高达2.4GHz;
台积电扩增3nm产能,部分5nm产能转向该节点
目前,苹果、高通、联发科等世界知名厂商已与台积电能达成紧密合作,预示台积电将继续增加 5nm产能至该节点以满足客户需求,这标志着其在3nm制程领域已经超越竞争对手三星及英特尔。
三星电子发布业界最大容量HBM
三星电子近日宣布,公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这也意味着三星已
评论