二极管的主要参数解读

二极管作为半导体器件，在电子电路应用中非常广泛，可以用于电源输入防反接，整流，多路信号选择，DCDC续流等等。

二极管的实质上就是一个PN结，具备PN结的单向导电性，也即施加正向电压时导通，施加反向电压时截止。该作用也使得二极管在电子电路应用中在某些场合被定义为开关，在存在二极管的电路中，当二极管导通时，视为短路，可用导线代替二极管，当二极管截止时，视为断路，可从电路抹去二极管分析电路。

对于二极管，需要根据不同的应用场合进行选择，在针对二极管进行选型时，需要针对性的考虑相关的参数。

二极管的主要参数为：正向导通电压，导通电流，反向击穿电压，反向漏电流，这几个参数在大多数场合都是需要考虑的。

正向导通电压与正向导通电流相关，流经二极管的电流越大，二极管的导通电压会变大。

反向击穿电压是能够施加在二极管两端反向电压的最大值，反向电压过大时，会击穿PN结。

反向漏电流即为在二极管上施加反向电流时的微小的漏电流，系因为PN结的少数载流子的漂移运动产生的。

对于二极管，我们另外需要考虑的参数是反向恢复时间，尤其是在开关电路中，需要着重考虑，以下针对二极管的反向恢复时间进行简约解释。

二极管的反向电流波形大概如下：

对于二极管的PN结，当施加正向电压时，受电场的影响，P区空穴移向N区，N区电子移向P区，势垒区逐渐减小。

此时PN结存在电流，也即二极管正向导通，随着空穴和电子的移动，移动到N区的空穴没有全部在N区被电子中和，会有一部分在N区漂移扩散，并在势垒区附近按梯度变化，同理，移动到P区的电子也有同样的现象，电流大时，没被中和的空穴和电子会更多。N区中的空穴和P区中的电子被称为非平衡少数载流子，非平衡少数载流子的分布现象被称为PN结的电荷存储效应。

当PN结突然从施加正向电压变成施加反向电压时，PN结两端电场发生变化，受电荷存储效应影响，P区和N区的非平衡少数载流子开始进行反向运动，P区的电子和N区的空穴在电场的作用下进行反向漂移运动，此时由于势垒区还比较小，因此形成反向电流，并且保持一小段时间不变，电子回到N区，空穴回到N区，形成多数载流子，少数载流子数量逐步减少，反向电流快速下降，且势垒区加大，PN结变成反向截止状态，电流只有极少部分少数载流子的漂移运动形成的漏电流。