三星电子将扩大尖端DRAM/NAND产量

三星电子31日在第三季度业绩发布会上公布，将扩大10纳米第四代（1a）、第五代（1b） dram和第七、第八代v- nand闪存等尖端存储器产品的供应，而不是增加。

三星电子副总裁Kim Jae-jun表示：“对生成人工智能（ai）等高性能产品的运行非常重要的尖端存储器的需求正在迅速增加。”相反，自去年以后，随着存储器业界的资本投资减少，韩国尖端node技术的扩张受到了限制。”

Kim Jae-jun补充说：“三星电子将通过维持投资，进一步巩固在尖端存储器市场上的地位，并确保长期竞争力。”负责半导体的ds部门计划每年进行47万5000亿韩元的资本支出。

Kim Jae-jun总经理解释说，对于部分传统产品，为了使库存恢复正常，正在继续进行调整。他说：“将有选择地进行生产调整，在短时间内使库存恢复正常。”与dram相比，nand闪存的供应减少幅度将更大。”

当天，三星电子公布了第三季度业绩，销售额和营业利润分别为67.4047万亿韩元和2.4336万亿韩元。三星电子的销售额虽然比去年第3季度减少了12.21%，但是与今年第2季度相比增加了12.3%。营业利润与去年同期相比减少了77.57%。但这比市场预测的1.8358万亿韩元要多。

特别是三星ds部门的营业业绩得到改善，实现了2万亿韩元以上的营业利润。该公司公布的营业赤字为3万7500亿韩元，与第一季度的4万5800亿韩元、第二季度的4万3600亿韩元相比，赤字大幅减少。

三星电子在包括家电、移动通信在内的dx领域，销售额和营业利润分别达到44.2万亿韩元和3.73万亿韩元。另外，以智能手机为中心的移动通信经验和网络部门也创造了3兆3000亿韩元的营业利润。通过与消费电子的视觉展示，为部门创造了3800亿韩元的营业利润。三星表示，营业利润实现了1.94万亿韩元。汽车电子子公司哈曼创造了4500亿韩元的营业利润。