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三星西安厂计划将NAND工艺升级为236层 明年初更换设备

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2023-11-03 11:48 次阅读

据业界2日透露,三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造,将目前正在生产的128段(v6) nand闪存生产线扩大到236段(v8)。三星决定从明年初开始更换设备,并向业界通报了到2025年分阶段完成的目标。

三星决定在因经济不景气而堆积库存的128段nand中减少旧型产品,供应未来需求较多的236段nand等,正在加快向先进工程的转型。

随着西安工厂的升级,平泽第1工厂(p1)的nand工艺也将从128段转换为236段,已经开始转换。

西安工程升级备受关注的原因是此前禁止向中国出口可以生产200段以上nand的设备的《美国半导体设备法》。

西安工厂是占三星nand生产量约40%的核心工厂。128 nand由于市场状况的恶化,生产越多,库存就越堆积。三星急需改进工程。

今年10月,美国将三星和sk海力士指定为“经过验证的最终用户(veu)”,三星无需另外申请也可以进口设备。之后,三星决定改编工厂的前台生产线。

nand闪存端口的数量是指堆叠的内存单元的数量,这个数量越多,容量就越大。三星电子目前拥有的236段nand闪存计划明年初批量生产约300段的新一代nand闪存(v9)。

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