ARK(方舟微)的MOSFET产品简介和常见问题解答

ARK（方舟微）的MOSFET产品简介

ARK（方舟微）研发销售的MOS产品主要以N沟道-耗尽型MOSFET为主（包括具有自主知识产权的高阈值电压（UltraVt®）耗尽型MOSFET系列产品），以及N沟道-增强型MOSFET和P沟道-增强型MOSFET。产品耐压等级覆盖0～1700V区间。

ARK（方舟微）的MOSFET产品大部分都具有栅极ESD保护设计，在一定程度上能够有效避免客户在元件贴装过程中或使用过程中因ESD而出现的产品失效，具有ESD保护设计的MOSFET在产品结构示意图上有如下特征：

怎么避免和增强型MOSFET混淆？

部分客户在初次接触耗尽型MOSFET时，若未先行查看其产品规格书，则可能会按照测试增强型MOSFET的方式直接对其进行测试，由于耗尽型MOSFET在栅极零偏压时为导通状态，因此会认为器件属于失效产品。

常用的区分方法是：

查阅产品规格书，通过规格书中的介绍和参数定义进行判断。

可直接在G极浮空的情况下，使用万用表对MOSFET的D-S导通状态进行测量，若测得MOSFET的D-S为导通状态，且所测阻值约为产品规格书中定义的导通电阻值，则表明该MOSFET为耗尽型MOSFET；若测得MOSFET的D-S为开路状态，则表明该MOSFET为增强型MOSFET。

耗尽型MOSFET与JFET的管脚区分

JFET的D、S管脚通常是对称的，即D、S管脚在使用时可以互换；而ARK（方舟微）的耗尽型MOSFET的D、S管脚不具有对称性，在使用时D、S管脚不能互换。

对于N沟道-耗尽型MOSFET，当电流方向为D→S时，电流仅能从沟道流过；当电流方向为S→D时，电流较小时从沟道流过（体二极管未导通），电流较大时，会同时从沟道和体二极管流过；N沟道-耗尽型MOSFET关断后只能阻断D→S方向的电压。

耗尽型MOSFET与JFET的栅极-源极结构近似吗？

JFET的G-S、G-D之间的结构为PN结，而耗尽型MOSFET属于绝缘栅结构，MOSFET的栅极与半导体材料之间隔着栅氧化层，因此通常认为MOSFET的输入阻抗远大于JFET。另外因为这种结构上的差异，使得JFET在一定条件下，其G-S可以作为二极管使用，而耗尽型MOSFET的G-S则无法作为二极管使用。

实际上MOSFET的输入阻抗还和芯片本身的结构及芯片大小相关，ARK（方舟微）研发的MOSFET大多具有ESD保护设计，在MOSFET的G-S间并联有ESD保护二极管，因此我们会在其产品规格书中看到部分MOSFET的IGSS漏电流可能会达到微安级。