耗尽型MOSFET在非隔离式电源电路中的应用

应用电路如下

在上述电路中，无需使用其它DC-DC元件，仅使用一颗耗尽型MOSFET，即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足：Vin=VOUT+|Vth|(Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。

该电路具有如下优点：

上述电路可直接应用于宽电压范围中(DMD4523E的最高工作电压为450V，需考虑器件的功耗)。DMD4523E可以为LDO电路提供良好的瞬态浪涌防护。

MOSFET响应速度快，该电路结构简单且成本低，由于MOSFET可以承担输入部分的高压，因此仅需要选择能满足输出电压要求的低压LDO即可。该电路应用范围广泛，可应用于MCU、通讯设备的电路中。

DMD4523E

DMD4523E系列产品在容性负载、仪表、通讯设备中用于过压过流保护的应用。该电路通过选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。

该系列产品可工作在较高电压下，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时，为负载提供过流保护。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。