使用耗尽型MOSFET简化PD3.1快充设计(上)

前言

尽管说如今的充电器，集成度越来越高，外围器件的数量越来越少。但是PD3.1的推出，支持28V及以上的输出电压，更宽的输出电压范围，超出了高耐压的原边控制器的供电范围，同时现有的同步整流控制器，也无法应用在高输出电压下，令工程师的选型很是头疼。

为了应对PD3.1升级输出电压后，宽电压输出导致开关电源初级电压供电范围变动较大的问题，ARK（方舟微）推出了一系列具有特殊功能的MOSFET，可以代替传统多颗元件组成的供电稳压电路，从而简化电源中对于控制器的供电设计，并优化待机功耗表现。在缺货的大背景下，拓展现有芯片的供电范围，保证产品出货。

ARK（方舟微）

ARK（方舟微）自主研发的专利产品100V、150V、600V等系列耗尽型MOSFET受到市场广泛欢迎，成为众多高端品牌充电设备首选器件。目前，已被PI、IWATT、ON等多家主IC方案商普遍选用。

DMZ1015E/DMX1015E

ARK（方舟微）DMZ1015E/DMX1015E是一颗耐压100V的耗尽型NMOS，是原DMZ0615E/DMX0615E的升级版本，采用特有超高阈值“UItraVt”技术（ARK专利），可为负载提供稳定的供电，且输出电压可由内部钳位，无需稳压管，简化电路设计。

电源电路更加简化

DMX1015E (SOT-89封装)，耗散功率1W，能承受更宽的输入电压，适合单绕组的VCC供电；DMZ1015E (SOT-23封装） 耗散功率0.5W，适合双绕组的VCC供电；可根据耗散功率灵活选用。

DMZ1315E(L）/ DMX1315E (L）****

在Type-C/PD充电器中，ARK（方舟微）研发的DMZ1315E(L)/DMX1315E(L)可作为高压线性稳压源，特有超高阈值 “UItraVt”技术（ARK专利） ，利用其亚阈值特性实现稳定的电压或电流输出，PWM IC电源电路更加简化。

DMZ(X)1015E升级版

DMX1315E(L) (SOT-89封装) 耗散功率1W，能承受更宽的输入电压，适合单绕组的VCC供电，DMZ1315E(L) (SOT-23封装）耗散功率为0.5W，适合双绕组的VCC供电。

该系列属于DMZ(X)1015E的升级版，耐压提高至130V，不仅适用于原DMZ(X)1015E的所有应用方案，还可用于对电压有更高要求的方案（如PD3.1中新增的28V/5A输出）。

节约成本

ARK（方舟微）推出的一系列耗尽MOSFET，适配绝大多数开关电源控制器供电需求，利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性，能够简化传统控制器用于高压以及宽电压输出的供电电路设计，降低研发难度的同时，降低整体物料成本。

国产替代

ARK（方舟微）作为快充领域电路稳压与保护器件的供应商，陪伴充电设备14年，从摩托罗拉到华为；从三星到Google；从手机充电到汽车充电，几乎覆盖所有充电产品！

ARK（方舟微）产品以高品质、高性能、低成本对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户广泛采用。