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使用耗尽型MOSFET简化PD3.1快充设计(下)

CHANBAEK 来源:ARK micro 作者:ARK(方舟微) 2023-11-08 11:31 次阅读

前言

尽管说如今的充电器,集成度越来越高,外围器件的数量越来越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的输出电压,更宽的输出电压范围,超出了高耐压的原边控制器供电范围,同时现有的同步整流控制器,也无法应用在高输出电压下,令工程师的选型很是头疼。

为了应对PD3.1升级输出电压后,宽电压输出导致开关电源初级电压供电范围变动较大的问题,ARK(方舟微)推出了一系列具有特殊功能的MOSFET,可以代替传统多颗元件组成的供电稳压电路,从而简化电源中对于控制器的供电设计,并优化待机功耗表现。在缺货的大背景下,拓展现有芯片的供电范围,保证产品出货。

ARK(方舟微)

ARK(方舟微)自主研发的专利产品100V、150V、600V等系列耗尽型MOSFET受到市场广泛欢迎,成为众多高端品牌充电设备首选器件。目前,已被PI、IWATT、ON等多家主IC方案商普遍选用。

PI 40W~100W PD充电器系列方案

PI 40W~100W PD充电器系列方案均选用ARK(方舟微) DMZ1521E

方案利用其亚阙值特性,与电阻组成恒流源给InnoSwitch供电。DMZ1521E的使用能减少电路元器件数量,节省空间,同时降低充电器的待机功耗并具有更好的瞬态浪涌抑制功能。

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在PI充电器方案中,DMZ1521E与电阻组成恒流源给InnoSwitch供电,其应用原理见下图:

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为快充定制研发

Type-C/PD充电器中,ARK(方舟微)为快充定制研发的DMZ1521E,采用SOT-23紧凑型封装,耐压达150V,具有较高阈值电压(5V~7V),可用于同步整流MOSFET漏极电压检测、为同步整流IC供电并提供电压钳位保护。

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DMZ1521E

ARK(方舟微)DMZ1521E采用专有的高级平面技术,是一颗耐压150V的耗尽型NMOS,具有高阈值电压,支持快速开关,适用于同步整流IC供电并进行钳位保护。

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DMZ6005E

ARK(方舟微)DMZ6005E是一颗耐压600V的耗尽型NMOS,DMZ6005E采用专有的高级平面技术,具有坚固的多晶硅栅单元,支持快速开关,可用于开关电源启动电路、线性放大及电信应用等场合。

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DMZ6012E

ARK(方舟微)DMZ6012E是一颗耐压600V的耗尽型NMOS,采用专有的高级平面技术,具有坚固的多晶硅栅单元,支持快速开关,可用于开关电源启动电路、线性放大及电信应用等场合。

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节约成本

ARK(方舟微)推出的一系列耗尽MOSFET,适配绝大多数开关电源控制器供电需求,利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性,能够简化传统控制器用于高压以及宽电压输出的供电电路设计,降低研发难度的同时,降低整体物料成本。

国产替代

ARK(方舟微)作为快充领域电路稳压与保护器件的供应商,陪伴充电设备14年,从摩托罗拉到华为;从三星到Google;从手机充电到汽车充电,几乎覆盖所有充电产品!

ARK(方舟微)产品以高品质、高性能、低成本对标国外同类产品,实现国产替代,被国内外客户广泛采用。

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