稳压二极管(zener diode),也称齐纳二极管,与普通二极管不同的是,稳压二极管工作在反向击穿状态时,它的工作电流在很大范围内变化而其两端的电压基本不变。
它的原理图符号有如下图所示的两种:
标称稳定电压VZ(Nominal Zener Voltage) 是稳压二极管最重要参数,也是工程师在选型时首要的参数。
稳压二极管的典型应用电路如下图所示:
它的主要作用是从较高输入电压Vi中获取的较低输出电压V o ,这里我们并没有这样描述:从较高的不稳定的输入电压Vi中获取较低的稳定输出电压V o 。
稳压二极管虽然有一定的稳压功能,但这种稳压能力在精度要求较高的场合并不适用,在大多数实际应用电路中,稳压二极管更多的是为了获取一个对精度要求不高的电压值(精度要求高的可选择电压基准芯片,可参考相关文章),
下图为稳压二极管应用于场效应管驱动时的示意图:
N沟通道场效应管的栅源开启电压VGS是有最大限制值的,比如±20V,超过此值则场效应管可能会损环,通常在此类开关控制电路中,VGS值设置为 10V左右,如果电路系统中只有36V较高的电压(其它为5V之类的低压),这个电压不可以直接作为VGS电压,当然,可以采用诸如低压差线性调整芯片(LDO)从36V中降压获取此电压,但是大多数情况下,我们只需要如图所示稳压二极管即可,成本低,电路简单,而且这种应用对稳压精度要求并不高。
当输入电源电压Vi比稳压二极管的稳定电压VZ低时,稳压二极管没有击穿而处于反向截止区,此时电路回路中只有比较小的反向漏电电流IR(reverse leakage current) ,这种工作状态不是稳压二极管的正常工作状态,因为输出电压Vo是随输入电压Vi变化的,没有达到输出稳定电压的目的,如下图所示:
当输入电源电压Vi比稳压二极管稳定电压ZT高时,稳压二极管被反向电压击穿,此时回路电流急剧增加,如下图所示:
此时的输出电压Vo就是稳压二极管的标称稳定电压,也就是我们所需要的电压值,回路中的电流就是稳压二极管的工作电流IZ(zener current) ,此值由下式可得:
其中,电阻R就是稳压二极管的限流电阻。能够使稳压二极管进入稳压状态的最小电流IZ也叫 膝点/拐点电流IZK(knee point current) ,因此,电阻R值不应该太大,那么这个电阻的最小值应该是多少才合适呢?我们继续往下看:
当输入电源电压Vi时继续增加时,稳压二极管的稳定电压V Z (也就是输出电压V o )会有一定的变化,但没有输入电压Vi变化那么大,因为稳压二极管处于反向击穿稳压状态,此时输入电压Vi与输出电压Vo的差值都施加到电阻R两端,继而引起回路电流上升。
稳压二极管本身没有最高反向电压的参数,但是它会有一定的功耗,如下式:
也就是稳压二极管的稳定电压VZ与流过稳压二极管中的电流IZ的乘积,对于具体的稳压二极管,其稳定电压VZ是额定的,因此稳压二极管最大的功耗也可由最大工作电流IZM(Maximum zener current) 来表征,很多数据手册中也是给出这个值。
当回路电流IZ超过稳压二极管的最大工作电流IZM时(也就是超过二极管最高允许耗散功率),稳压二极管会因为过热而损坏,此时的输出电压Vo就是输入电压V i ,也就是不再有稳压能力了,如下图所示:
因此,我们在设置电阻R的最小值时,应控制稳压二极管的工作电流在IZM之内。
这种特性我们也可以从稳压二极管的伏安V-I特性曲线看出,如下图所示:
稳压二极管有一定的电阻,通常称为动态电阻RZ(zener resistance)或动态阻抗ZZ(zener impedance) ,它是指稳压管两端电压变化与电流变化的比值,可由下式所得:
动态电阻RZ随稳压二极管的工作电流IZ不同而不同,通常工作电IZ流越大(即分母越大),则动态电阻则RZ越小,这个值自然是越小越好。
下图来自CDI的1N46XX系列稳压二极管数据手册
我们可以把稳压二极管等效一个理想的电压源VZ与一个动态电阻RZ串联,如下图所示:
因此,典型应用电路也可以修改如下所示:
当回路中的电流IZ上升时,动态电阻RZ两端的压降(I Z ×R Z )亦会上升,则输出电压Vo也会上升,动态电阻RZ越小则输出电压Vo变化越小,也就是说稳压能力更佳。
稳压二极管还有一个参数:温度系数TC(temperature coefficient) ,它是衡量在电路参数不变的条件下,稳压二极管的温度变化引起的稳定电压的变化量,亦即温度变化1^ o^C所引起稳压二极管两端电压的相对变化量,如下式:
它的单位是每摄氏度百分数(%/^o^C)。一般说来,稳定电压ZT小于5V属于齐纳击穿,其温度系数是负的;稳定电压ZT大于5V的属于雪崩击穿,其温度系数是正的。因此,理论上我们也可以用两个温度系数相反的稳压二极管串联,从而获得温度系数更好的稳压特性,如下图所示:
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