今天给大家说一个很实用的小技能,用万用表去检测MOS管好坏的方法,这里以N沟道增强型场效应管(N MOS管)为例给大家说一下,在之前的文章中提到过MOS管和场效应管的区别,其实场效应管的种类很多,共有6种,其中N沟道增强型场效应管使用频率很高,还是很有必要掌握他的检测方法。
选用管子型号为IRF640,如上图所示,一般在判断好坏的时候先对MOS管放电(三极管就不需要,之所以需要放电是和他的工作原理有关,这里就不多说了),放电的目的就是使G极(栅极)和S极(源极)电位相同,所以,这里放电可以直接在G极和S极之间用导线短接一下就可以了,也可以串接个电阻。
放完电后就可以用万用表去测量了,下面这个图片是我在数据手册上截下来原理图,从原理图中也可以看出来,在D极(漏极)和S极(源极)之间有一个看着像二极管的东西,其实这个就是反向寄生二极管,这个二极管是能够使用万用表的二极管档测出来的。
怎么测呢?可以看下下面两张图的测量结果,当把红表笔放在S极上,黑表笔放在D极上,这个反向寄生二极管是能够导通的,所以可以测出来这个导通压降,一般在0.5 V左右;如果把红表笔放在D极,黑表笔放在S极,这个反向寄生二极管是截止的,所以在万用表上会看到O L字样。
到这我们才测量两个管脚是正常的,还有一个G极,这里需要先对G极充下电,用万用表的二极管档就可以,把红表笔放在G极,黑表笔放在S极,这个充电过程很快,在万用表上是看不到这个变化过程,所以一直看到O L字样,充完电后再去测量一下D极和S极之间,还是截止的吗?
从下图可以很清楚的看到,这时候D极和S极之间的压降接近于0,换句话说此时的MOS管导通了,从这里也能感受出来MOS管的导通压降是很低的(同样放大倍数的电路,他比用三极管做出来的效率要高,三极管放大状态的导通压降一般大于等于0.3 V)。
其实不光D极和S极之间的压降很低,S极和D极之间的导通压降也很低,可以参考下图中的测量结果,从这也可以看出来,MOS管导通后,这个反向寄生二极管消失了,如果此时再次给G极放电,你会发现这个反向寄生二极管又回来了。
这就是正常的N沟道增强型场效应管的测量结果,如果哪一步和文章中所述的不同,那么很可能这个管子坏掉了。
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