SK海力士的共同首席执行官(ceo)兼副总裁Park Jung-ho表示:“预计到2030年为止,本公司的hbm每年将出货1亿个。”
在13日的活动中,Park Jung-ho共享了sk海力士hbm的事业成果和前景。
一位合作伙伴公司的相关人士表示:“比起7年后hbm出货量将达到1亿人的数字,hbm超过竞争公司的成绩鼓舞了公司管理人员。”
Park Jung-ho在活动中鼓励合作伙伴公司的代表说:“由于设施投资减少,整体上有可能会变得更加困难,但是要克服难关。”他还强调说,SK海力士将于2027年在龙仁半导体集群工业园区内的工厂按计划生产半导体。
sk海力士在上月末举行的第三季度业绩会议上表示:“由于预测需求没有完全恢复,明年的投资将在有限的范围内进行。”主要集中对hbm3e领域进行投资,特别是正在优先讨论新一代HBM3e配备的1nm DRAM扩增和用于堆叠的硅穿透电极(TSV)相关的投资被优先考虑。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
334文章
27349浏览量
218538 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
961浏览量
38492 -
HBM
+关注
关注
0文章
380浏览量
14752
发布评论请先 登录
相关推荐
SK海力士推出48GB 16层HBM3E产品
近日在一次科技展览上,SK海力士惊艳亮相,展出了全球首款48GB 16层HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)产品。这一突破性产品不仅展示了SK
SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术
在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息,该公司计划于2026年在其高性能内存(High Bandwidth Memory,
SK海力士:HBM3E量产时间缩短50%,达到大约80%范围的目标良率
据报道,SK海力士宣布第五代高带宽存储(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
SK海力士与台积电携手量产下一代HBM
近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEOL),确保基础芯片的质量与性能。
SK海力士HBM4E存储器提前一年量产
SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK
SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出
SK海力士明年HBM产能基本售罄
SK海力士近日宣布,其高带宽内存(HBM)芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能(AI)技术的蓬勃发展,极大地推动了市场对H
SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年
SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签
SK海力士与台积电共同研发HBM4,预计2026年投产
自 HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代
刚刚!SK海力士出局!
在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK
SK海力士宣布HBM内存生产配额全部售罄
SK 海力士副总裁 Kim Ki-Tae 对此表示,作为 HBM 行业翘楚,海力士洞察到市场对 HBM 存储的巨大需求,现已提前调整产量,以
评论