ROHM推出新型BD2311NVX-LB栅极驱动器IC

ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB栅极驱动器IC。该器件可实现纳秒 (ns) 级的栅极驱动速度，因此非常适合高速 GaN 功率器件开关。

通过对氮化镓技术的全面了解和对提高栅极驱动器性能的持续努力，这种优化成为可能。凭借 1.25ns 的最小栅极输入脉冲宽度，其结果是快速开关能力有助于开发更紧凑、更节能和更高性能的应用。

近年来，随着物联网 (IoT) 设备数量的不断增加，提高电源转换效率和减少服务器系统中的电源单元数量已成为关键考虑因素。这就需要功率器件行业进一步发展。同时，为了进一步提高识别精度，不仅用于自动驾驶，还用于监控工业设备和社会基础设施的LiDAR，需要高速脉冲激光。

鉴于这些应用需要使用快速开关器件，ROHM在引入GaN器件的同时，设计了一种超高速栅极驱动器集成电路(IC)，以优化GaN的性能。今后，ROHM将继续推出更小型的WLCSP产品，以进一步实现小型化。

由于氮化镓器件对栅极输入过电压的敏感性，ROHM设计并集成了一种新技术，以减轻栅极电压过冲到该驱动器中。通过根据应用需求操纵栅极电阻，可以选择最合适的氮化镓器件。ROHM还提供一系列带有EcoGaN绰号的GaN器件，当与优化其性能的栅极驱动器IC结合使用时，通过电源解决方案为更可持续的社会做出贡献。当与ROHM的EcoGaN产品结合使用时，栅极驱动器BD2311NVX-LB独特的栅极过压抑制功能进一步简化了设计，提高了应用的可靠性。

审核编辑：彭菁