有报道称,三星集团计划向半导体设备领域投资10万亿韩元,并大量采购ASML的EUV***。据韩国今日电子新闻报道,三星计划增加进口ASML极紫外(EUV)光刻设备的数量。因为保密条款的存在,尽管具体细节未能披露,但根据证券市场消息,据称该协议将使ASML在五年内提供50套设备,每套设备的单价约为2000亿韩元,总价值高达10万亿韩元(当前约551亿元人民币)。
目前还不清楚该合同中的产品是现有的EUV光刻设备还是下一代“HighNAEUV”光刻设备。然而,目前EUV光刻设备的最大问题是产量有限。根据官方介绍,它的复杂程度甚至超过卫星零部件们是三星电子、台积电、英特尔、SK海力士和美光。其中,台积电约占供应量的70%,剩下的30%由其他四家公司争夺。
去年6月,三星电子推出了全球首个使用全栅极(GAA)技术的3纳米代工技术。由此以来,该公司一直在努力采购更多的EUV光刻设备,计划在明年上半年进入3纳米世代的第二代工艺,并于2025年进入2纳米工艺,最终在2027年进入1.4纳米工艺。
为了落地这个计划,去年6月,李在镕董事长访问了ASML总部,与首席执行官PeterBennink讨论了EUV采购问题。随后,在去年11月访问韩国期间,他与Bennink进行了进一步的会谈。考虑到EUV设备的交付周期至少需要一年(从下单到收货),这些会议似乎确实取得了实际的成果。
事实上,就三星电子增加购买EUV光刻设备的计划而言,半导体领域的分析师也持有积极的态度。来自祥明大学的半导体工程教授表示:“三星已引进数十台EUV光刻设备,据称每一台的成本大约为2000亿韩元,这表明该公司计划扩大3纳米芯片的量产,并在未来推进2纳米计划。”
在此之前,三星电子表示计划在2025年之前拥有100台EUV***。根据市场预测,目前三星拥有大约40台EUV设备。如果这批50台设备能够按时交付,那么到2028年,三星将能够拥有约100台EUV设备。
荷兰应用科学研究所(TNO)的韩国代表Byung-hoonPark解释道:“通常情况下,半导体工艺会将每台机器的10%用于工艺研发和测试。因此,如果有100台机器的话,那就意味着它们可以全天候地用于研发。”他指出,通过这种方式,我们可以保证拥有足够的工艺能力来正确使用设备。他补充道,预计这种方法可以减少工艺过程中所需的时间和成本,并提高产量。
金阳邦(KimYang-pang)是工业研究所的专家研究员,他表示:“只有在拥有大量EUV设备并稳定运行的情况下,我们才能增加生产量,并在代工方面取得进展。”
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