创新的新型芯片技术集成了数据存储和处理功能,大大提高了效率和性能。研究团队利用被称为铁电场效应晶体管(FeFET)的特殊电路应用了一种新的计算模式。几年内,这可能会被证明适用于生成式人工智能、深度学习算法和机器人应用。
据报道,慕尼黑工业大学(TUM)的Hussam Amrouch教授领导的研究团队开发出了一种可用于人工智能的架构,其功能是同类内存计算方法的两倍。
最新研究结果已于近期发表在了《自然》杂志上。据称,创新的新型芯片技术集成了数据存储和处理功能,大大提高了效率和性能。这些芯片受到人脑的启发,预计将在三到五年内上市,需要跨学科合作才能达到行业安全标准。
据悉,Amrouch团队利用被称为铁电场效应晶体管(FeFET)的特殊电路应用了一种新的计算模式。几年内,这可能会被证明适用于生成式人工智能、深度学习算法和机器人应用。
实际上,他们的基本理念很简单:以前的芯片只在晶体管上进行计算,而现在它们也是数据存储的位置。这样既省时又省力。Amrouch说:“因此,芯片的性能也得到了提升。”
随着人类需求的不断提高,未来的芯片必须比以前的更快、更高效。因此,它们不能迅速升温。如果它们要支持诸如无人机飞行时的实时计算等应用,这是必不可少的。
“像这样的任务对计算机来说是极其复杂和耗能的,”研究人员说。
对芯片的这些关键要求可以用数学参数TOPS/W来概括:“每秒每瓦特的太赫兹运算量”。这可以看作是未来芯片的重要技术指标:当提供一瓦(W)功率时,处理器每秒(S)能执行多少万亿次运算(TOP)。
这款新型人工智能芯片可提供885 TOPS/W。这使得它比同类人工智能芯片(包括三星公司的MRAM芯片)的功能强大一倍。而目前普遍使用的CMOS(互补金属氧化物半导体)芯片的运行速度在10-20 TOPS/W之间。
具体而言,研究人员从人类那里借鉴了现代芯片架构的原理。Amrouch说:“在大脑中,神经元负责处理信号,而突触则能够记住这些信息,他描述了人类如何能够学习和回忆复杂的相互关系。”
为此,芯片使用了“铁电”(FeFET)晶体管。这种电子开关具有特殊的附加特性(施加电压时极性反转),即使在切断电源的情况下也能存储信息。此外,它们还能保证在晶体管内同时存储和处理数据。
Amrouch认为:“现在,我们可以构建高效的芯片组,用于深度学习、生成式人工智能或机器人等应用,例如,在这些应用中,数据必须在生成的地方进行处理。”
不过,慕尼黑工业大学慕尼黑机器人与机器智能综合研究所(MIRMI)的教授认为,要实现这一目标还需要几年时间。他认为,适合实际应用的首款内存芯片最快也要三到五年后才能问世。
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原文标题:下一代AI芯片性能翻倍?新技术可以模仿人脑来节省能源……
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