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反激式开关电源元件参数选型(一)

CHANBAEK 来源: 硬件设计工匠 作者: 技术男 2023-11-21 15:12 次阅读

1.输入电容

图片

1.1电容耐压

220V 指的是交流电的有效值,实际上220V的市电电压是不稳定的,一般在176V-264V之前,

所以最大值为峰值264*1.414=373V

1.2输入电容容值选取

1)输入电解电容经验选取法

当输入电压为220V±20%(AC176-264V) 时按照输出功率选取: w/uF2、当输入电压为110±20%时(AC88-132V) 时按照输出功率选取: w/ (2-3) uF此时耐压 (200V)

2)输入电解电容容值快速估算

图片

其中:Vmin_p为AC的最小电压,对应AC176V

2.整流桥的选择

整流桥的作用就是把输入交流电压整形成直流电压,把正弦波整成馒头波,由于整流管的单向导电性,在输入电压瞬时值小于滤波电容上电压时整流桥.在这个时候是不导通的,使整流桥的电流变成2-3ms左右的窄脉冲。为获得所需要的整流输出电流,这个电流窄脉冲的幅值将会很高。通常整流桥的额定平均电流应该降额使用。

2.1整流桥的电流选择

图片

选择整流桥的电流必须大于Ibr

2.2整流桥的耐压

整流桥的常态耐压为输入电压的峰值电压比如AC176-264V的最高峰值为264*根号下2=373V由于需要考虑在做浪涌 (4级) 实验的时候,有个2000V的峰值灌倒输虽然有压敏电阻,但压敏电阻抑制电压后还有有个残余电压比如471KD10残压为775V

图片

3.X电容上的放电电阻

信息技术设备的安全,国家标准: GB4943-2011等同于UL60950摘文如下:

“设备在设计上应保证在交流电网电源外部断接处,尽量减小因接在一次电路中的电容器贮存有电荷而产生的电击危险.

通过检查设备和有关的电路图来检验其是否合格.检查时考虑到断开电源时通/断开关可能处于任一位置如果设备中有任何电容器,其标明的或标称的容量超过 0.1uF,而且接在一次电路上,但该电容器的放电时间常数不超过下列规定值,则应认为设备是合格的:

一对 A 型可插式设备,1S;和一对永久性连接式设备和 B 型可插式设备,10s.

有关时间常数是指等效电容量(uF)和等效放电电阻值(M )的乘积如果测定等效电容量和电阻值有困难,则可以在外部断接点测量电压衰减.

注:在经过一段等于一个时间常数的时间,电压将衰减到初始值的 37%.”

X电容的作用是,在1s以内放电到原来电压的37%,放电时间可以利用基础的RC充放电回路计算.

图片

图片

初始电压为E的电容C通过R放电

V0=E,V0为电容上初始电压

Vt为电容C由R放电,过时间t后电容上的电压

故电容器放电,任意时刻t,电容上的电压为:

图片

根据放电公式求取X电容上的放电电阻

开关电源的C为两个X电容为200N

C=200NF

1s内把电放到原电压的37%

t=1s

Vt=0.37E

则可以快速求出放电电阻

图片

R=5.029MΩ, 选择R<5.029MΩ

RC=1,选择时间常数RC<1

快速计算方法:利用RC<1

1、封装1206

2、电压Vmax=200V

3、电流Imax=2A

4、功率Pmax=1/4W不超过一半

5、阻值RC=1,根据安规快速计算

4.EMI电路参数

4.1关于X电容和Y电容

1)X电容根据实际情况选取,一般功率越大X电容会更大

2)Y一般会根据客户要求的漏电流来选取

图片

漏电流、施加电压频率、施加电压幅值客户都会给出,或者参照各公司企业标准参考,一般漏电流要求有比较小的比如0.35mA的,也有要求没那么严格的比如10mA 电压一般施加为50Hz,施加电压幅值一般为2000-3000V左右 .

根据IEC 60384-14,电容器分为X电容及Y电容

X电容是指跨于L-N之间的电容器2.Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器(L=Line, N=Neutral, G=Ground)

X电容底下又分为X1,X2,X3,主要差别在于:

1)X1耐高压大于2.5 kY,小于等于4 kV;

2)X2耐高压小于等于2.5 kV:

3)X3耐高压小于等于1.2 kV

Y电容底下又分为Y1,Y2,Y3,Y4,主要差别在于:(耐直流电压等级)

1)Y1耐高压大于8 kV:

2)Y2耐高压大于5 kv;

3)Y3耐高压 n/a

4)Y4耐高压大于2.5 kV

4.2共模电感选取

共模电感无法准确计算,但可以计算其所在滤波器最小的转折频率来选取最小电感量

转折频率必须大于60Hz,必须小于开关频率

图片

比如CY取2.2N,fin=50Hz,fs=50KHz,则4.6H>Lcm>4.6mH

一般共模电感量越大抑制效果会更好.

5.RCD吸收电路

变压器耦合度不可能为100%,因此一定有漏感.引入 RCD 钳位电路,目的是消耗漏感能量,但不能消耗主励磁电感能量, 否则会降低电路效率。要做到这点必须对RC 参数进行优化设计.

5.1先说下变压器漏感的原因.

我们用电桥测试变压器漏感时,要短路副边,测试原边得到的电感量则为漏感。你有想过为什么要短路副边,这样测试的原理是什么?如图是理想变压器,理想变压器遵循以下公式:V2 = N2/N1*V1 N2:副边的匝数 N1:原边的匝数.

图片

但实际中变压器总是不理想的,总有一部分磁通不参与能量传递,在原边兴风作浪,产生很多不利影响。这部分不传递能量到副边的磁通产生的电感就是漏感,实际变压器的等效图如下:

图片

等效图中漏感总是绕组串联的。为了测量绕组的电感量,我们使用电桥施加一定的频率一定的电压进行测量,测量原理如下:

图片

假如在原边施加1V的测量电压,变压器的匝比是2:1,则副边的电压为0.5V,这是变压器原理。原边测得的总的电感包含了漏感。为了测量漏感,要想法使主电感LP为零,然后测量得到的就是漏感。但是如何使主电感量为零呢 方法其实很简单,比如要测量原边的漏感则短路副边,那短路副边后为何就能测得原边的漏感呢?如图:

图片

短路副边后,副边的电压为0V,根据 V2 = N2/N1 * V1 的变压器公式可知原边的电压也一定为0V,由于漏磁通没有参与耦合,因此短路副边后对漏感没有任何影响,此时从左边看进去测量得到的电感量就是漏感了.所以漏感是可以测量的.

5.2再说RCD钳位电路吸收漏感的原理.

图片

图片

1)当MOS管Q关断时:

二极管D的正极和负极为Vin+Vor+尖峰电压 (忽略二极管压降)

此电压Vin+Vor+尖峰电压通过二极管D给电容C充电,

此时R和C的下端电压也为Vin+Vor+尖峰电压,R和C的上端电压为Vin

所以: 当Q关断,MOS管漏极尖峰电压通过二极管D给C充电此时二极管承受的压差为0.7V,R和C承受的压差为Vor+尖峰电压.

反激电源的反射电压Vor可以通过以下公式计算: Vor=Np/Ns*Vo 其中,Vor是反射电压,Np是原边的匝数,Ns是副边的匝数,Vo是输出电压。

2)当MOS管Q开通时,二极管D的正极的电压为0(忽略MOS管导通压降)此时由于电容C上为上半周期存储的高电压,此时二极管上的电压为上正下负截止此时C通过电阻R放电复位C上的电压每个周期必须复位所以: 当O开通,二极管截止,承受反向耐压Vin+Vor+尖峰电压.

R和C承受的压差继续为Vor+尖峰电压.

5.3RCD参数具体计算

知道大家不喜欢计算,先说RCD经验取值:

1)100V/220V输入电压时R可选5K-220K左右,1-2W封装

2)220V输入电压时C可选1-10N左右,耐压选630以上

3)二极管,耐压不小于MOS,小功率一般选4007,功率更大的电源应该选更大功率的二极管 .

4)为了提高效率,需要实测更改电容C和电阻R的值.

再说实际计算.RCD吸收漏感的基本原理为将变压器漏感储能转移到箱位电容器中,即:

图片

式中:

IPK为开关管峰值电流;

LK为漏感量,这个上面说了,是可以测出来的;

C为要求的电容量;

Vcmax为上面说的反射电压+尖峰电压

Vcmin为电容放电后的放电压

开始计算:

图片

Vor为反射电压,(NP/NS) Vo,就是上图三角形的a-a ,就是小三角形的底

Vcmax,就是三角形的a,于是有几何关系式(三角形相似原理):

Ton/T=Vor/Vcmax

图片

为保证S开通时,c上的电压刚好放到图片,需满足

图片

将 (1) 式代入 (2) 式可得:

图片

对整个周期RC放电过程分析,有:

图片

前面说了,漏感储能转移到箱位电容器中,根据能量守恒:

图片

式中:Ipk为Lk释能给C的电流峰值,将式(1)、(3)和式(4)代入式(5),得:

图片

综合式 (3) 可得到:

图片

电阻功率选取依据:

图片

至此,RCD中,R和C的参数基本说清楚了.

二极管的选择:

最后是选择 RCD箱位电路的阻断二极管,通常选择不能用快速反向恢复二极管,不然振荡严重!

额定电流至少为开关管实际工作电流峰值一半,额定电压需要不低于直流母线电压.

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