关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。
(1)基极电压升高时,BJT的基极电流开始流动,集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压(VBE)。为了使集电极电流流动,需要提供基极电流,并且需要连续的驱动功率。(需要低驱动电压、连续驱动功率)
(2)由于MOSFET根据栅极-源极电压形成一个沟道,这个电压必须是一定的或更高的电压。一旦沟道形成,导通状态继续,漏极电流继续流动,因此所需的驱动功率很小。通过释放积聚在栅极中的电荷并移除沟道,它将转变为关闭状态。(驱动电压高于BJT,驱动功率小)
图3-5(a)BJT的开关操作
图3-5(b)MOSFET的开关操作
审核编辑:汤梓红
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