关于1.4nm，台积电重申

台积电董事长刘德音昨日出席创办人张忠谋获颁李国鼎科技发展基金会第一届「李国鼎奖」，媒体问及先进制程设厂进展时，他简短回应强调：「1.4纳米会留在台湾」。

先前外界屡传台积电1.4纳米落脚桃园龙科三期，随着龙潭园区三期因私人土地征收争议扩大，依据反龙潭科学园区第三期扩建案自救会连络人张贵有说法，先前在新竹科学园区管理局、台积电与自救会三方代表对谈下，当时台积电已明确表示：「认同在地乡亲爱护土地及家园的强烈情怀，决定放弃原欲在龙科的扩厂计画。」

台积电在10月法说会前也明确指出，经公司评估后，在现阶段条件下不再考虑进驻龙潭园区三期，未来公司仍维持过去扩厂步调，台积电将持续与管理局合作评估台湾适合半导体建厂的用地。

先进工艺，竞争激烈

在台积电推进的同时，三星和英特尔也不甘落后。

首先看南韩三星电子，他们近期矢言要在2027年推出1.4纳米芯片制造，超越台积电和英特尔代工服务，也对按计划在2025年生产2纳米芯片充满信心。知名电子媒体EDN报导，三星承诺量产1.4nm芯片大约需要4年时间，在此期间可能会发生很多事情。

三星1.4nm和2nm芯片都将采用今年发布的3nm芯片上率先采用的环绕式闸极（GAA）技术来制造。而对手台积电和英特尔将在2纳米制造从Fin场效电晶体（FinFET）过渡到GAA电晶体，分别于2025年和2024年商业量产。

在另一项重大设计改革中，三星计划在1.4纳米制造中加入额外的纳米片，将纳米片的数量从3个增加到4个。由于每个电晶体有更多的纳米片，1.4纳米芯片将增强开关能力和运行速度。此外，更多的纳米片将更好地控制电流，从而产生更少的热量并减少漏电流。GAA电晶体透过在比finFET更小的电晶体中实现更高的速度来解决FinFET的限制。

三星长期以来在芯片制造一直落后台积电，尽管如此，这仍然表明三星正全力参与竞赛，并在大型晶圆厂的竞争中与台积电较劲。

三星是第一个实施GAA电晶体的公司，然而，在不断向更小制程进军的过程中，一直输给台积电和英特尔。现在，GAA在1.4制程上的突破提供了落后台积电的喘息空间。在台积电持续强化研发和扩点制造下，三星挑战王者的目标仍有很大的难度。

来到英特尔方面，《日经亚洲》援引英特尔半导体集团首席执行官周二的言论称，英特尔最先进的芯片设计将于明年第一季度进入测试生产阶段。

该新闻媒体报道称，英特尔首席执行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）在台湾举行的一次会议上表示，这款名为 18A 的设备“目前有许多测试晶圆问世”。《日经亚洲》称，他还声称“18A 的发明阶段已经完成”，并补充说这家美国公司正在“竞相生产”。

除了自己的产品外，英特尔还宣布 18A 制造技术还将用于电信设备制造商爱立信 (BS:ERICAs) 等外部客户的芯片中。

这家总部位于加州的公司表示，其目标是在 2025 年之前准备好 18A 制造工艺，这一时间表与竞争对手三星和台积电类似先进芯片的生产计划大致一致。

对英特尔来说，在先进芯片制造领域建立业务至关重要，特别是因为它希望让投资者放心，尽管人工智能日益普及导致竞争加剧，但其关键的个人电脑和服务器业务仍将保持主导地位。