0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

什么是雪崩击穿?单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同?

工程师邓生 来源:未知 作者:刘芹 2023-11-24 14:15 次阅读

什么是雪崩击穿?单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同?雪崩击穿失效机理是什么?

雪崩击穿是指在电力系统中,由于过电压等原因导致绝缘击穿,进而引发设备失效的一种故障现象。在电力系统中,绝缘是保证设备正常运行的关键因素之一。然而,当系统遭受到过电压冲击时,绝缘会受到破坏,造成电弧放电,最终导致设备损坏甚至引发火灾等严重后果。雪崩击穿是一种常见的绝缘破坏现象,其对电力系统的可靠性和安全性造成了严重的威胁。

在雪崩击穿中,存在两种不同的失效模式,即单脉冲雪崩和重复雪崩。

单脉冲雪崩(Single-Pulse Avalanches)是指由单次过电压事件引发的雪崩击穿。当电力系统遭受过电压冲击时,例如由雷电等原因引起,电压会迅速升高至较高水平,导致局部绝缘受到击穿,形成电弧放电通路。一旦电弧放电发生,电弧能量会迅速释放,并在放电区域产生高温和高压,瞬间破坏绝缘,导致设备失效。单脉冲雪崩通常是突发性的,由于电力系统负载和网络拓扑的复杂性,很难提前进行准确的预测和防范。

重复雪崩(Repetitive Avalanches)是指由于连续的过电压事件引发的雪崩击穿。在一些特殊的电力系统中,例如大型发电机、输电线路等,由于设备自身的电气特性和工作环境的特殊性,会导致系统周期性地发生过电压冲击。这些周期性的过电压事件可能是由于系统的共振、电磁干扰、设备故障等原因引起的。重复雪崩的特点是频繁且有规律地发生,给设备的绝缘系统造成了长期的应力和磨损,容易导致绝缘老化和击穿,最终引发设备失效。

雪崩击穿的失效机理主要包括以下几个方面:

1. 绝缘材料击穿:当电力系统遭受过电压冲击时,电压会迅速增加到很高的水平,超过了绝缘材料的击穿强度,使得绝缘材料不能耐受高压,发生击穿。绝缘材料的击穿可能是由于材料的固有缺陷、破损、污染等引起的。

2. 局部电场增强:局部绝缘区域存在缺陷或者不均匀性时,电场会在这些区域集中,电场强度也会相应增强。当电压升高到一定程度时,电场强度可能会超过绝缘材料的耐受能力,引发击穿。

3. 电容电流放电:在过电压冲击下,由于电容的存在,会发生电荷的累积和放电过程。当电容放电时,放电电流可能造成高温和高压,引发局部绝缘的击穿。特别是对于早期的电力系统或者老化的设备,电容放电会加剧绝缘老化和击穿的风险。

为了防止雪崩击穿的发生,电力系统需要采取一系列的预防措施。例如,使用合适的绝缘材料,定期进行绝缘检测和预防性维修,加装过压保护装置,维护设备的良好接地等。此外,对于重复雪崩的情况,还应该通过优化系统的工作参数、减少共振现象、提高电力设备的抗干扰能力等方式,尽可能减少过电压事件的发生。

综上所述,雪崩击穿是电力系统中的一种常见故障,其失效机理主要包括绝缘材料击穿、局部电场增强和电容电流放电等。了解其发生的原因和机理,对于预防和避免雪崩击穿故障具有重要意义。通过合理的预防措施和维护措施,可以降低电力系统遭受雪崩击穿的风险,提高系统的可靠性和安全性。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电力系统
    +关注

    关注

    18

    文章

    3519

    浏览量

    54873
  • 过电压
    +关注

    关注

    2

    文章

    142

    浏览量

    21044
  • 雪崩击穿
    +关注

    关注

    0

    文章

    23

    浏览量

    7619
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    MOSFET规格书中单脉冲雪崩能量EAS如何理解?电路设计咋用它计算MOS会损坏吗?

    单脉冲雪崩能量简称是EAS,这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数,我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力,进而来评估器件在异常瞬态过压情况下不会失效,
    的头像 发表于 11-25 11:31 1772次阅读
    MOSFET规格书中<b class='flag-5'>单脉冲</b><b class='flag-5'>雪崩</b>能量EAS如何理解?电路设计咋用它计算MOS会损坏吗?

    雪崩二极管的特性和作用

    雪崩二极管(Avalanche Diode)是一种特殊的二极管,其工作特性主要基于雪崩击穿效应。这种器件在电子领域中具有广泛的应用,其独特的特性和作用使其在多种电路设计中发挥关键作用。
    的头像 发表于 09-23 18:12 726次阅读

    雪崩晶体管有哪些优缺点

    雪崩晶体管作为一种特殊的半导体器件,在电子领域具有其独特的优缺点。
    的头像 发表于 09-23 18:05 273次阅读

    雪崩晶体管的定义和工作原理

    雪崩晶体管(Avalanche Transistor)是一种具有特殊工作特性的晶体管,其核心在于其能够在特定条件下展现出雪崩倍增效应。以下是对雪崩晶体管的定义、工作原理以及相关特性的详细阐述。
    的头像 发表于 09-23 18:03 822次阅读

    什么是MOS管的雪崩

    MOS管的雪崩是一个涉及半导体物理和器件特性的复杂现象,主要发生在高压、高电场强度条件下。以下是对MOS管雪崩的详细解析,包括其定义、原理、影响、预防措施以及相关的技术背景。
    的头像 发表于 08-15 16:50 1329次阅读

    功率器件雪崩击穿的工作原理和失效机理

    雪崩耐量是功率器件性能评估的关键指标,那么什么是雪崩耐量呢?即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压
    的头像 发表于 08-15 16:29 1330次阅读
    功率器件<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>击穿</b>的工作原理和失效机理

    一文详解齐纳击穿雪崩击穿

    电流。但是,故障不是永久性的。当这个大的反向偏置被移除时,二极管将恢复到正常状态。二极管的击穿可以两种类型:(a)齐纳击穿和(b)雪崩击穿
    的头像 发表于 05-05 14:38 9106次阅读
    一文详解齐纳<b class='flag-5'>击穿</b>和<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>击穿</b>

    雪崩光电二极管击穿原理图

    雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。
    的头像 发表于 04-09 17:06 1117次阅读
    <b class='flag-5'>雪崩</b>光电二极管<b class='flag-5'>击穿</b>原理图

    影响雪崩二极管响应速度的原因哪些?

    雪崩二极管,也称为碰撞雪崩渡越时间二极管(IMPATT),是一种在微波频率下使用的二极管,其工作原理基于载流子在高电场中的雪崩倍增效应。
    的头像 发表于 04-03 18:10 1553次阅读

    雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿雪崩击穿 雪崩击穿是可逆的吗?

    雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿雪崩击穿 雪崩击穿
    的头像 发表于 03-26 16:12 2677次阅读

    雪崩失效的原因 雪崩能量的失效机理模式

    功率MOSFET的雪崩损坏三种模式:热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
    的头像 发表于 02-25 16:16 1956次阅读
    <b class='flag-5'>雪崩</b>失效的原因 <b class='flag-5'>雪崩</b>能量的失效机理模式

    MOSFET雪崩击穿图解 MOSFET避免雪崩失效的方法

    当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后,芯片最终会损坏,然而单脉冲雪崩重复雪崩的失效机理并不相同。
    的头像 发表于 02-25 15:48 4347次阅读
    MOSFET<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>击穿</b>图解 MOSFET避免<b class='flag-5'>雪崩</b>失效的方法

    什么是雪崩击穿 雪崩失效电流路径示意图

    雪崩击穿(Avalanche Breakdown)是半导体器件中一个关键的物理现象,特别是在PN结二极管和各种类型的功率晶体管中。当这些器件的反向电压超过一定的临界值时,会突然大量电流流过原本
    的头像 发表于 02-23 17:06 3042次阅读
    什么是<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>击穿</b> <b class='flag-5'>雪崩</b>失效电流路径示意图

    功率MOSFET的雪崩效应

    在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量
    的头像 发表于 02-23 09:38 986次阅读
    功率MOSFET的<b class='flag-5'>雪崩</b>效应

    雪崩击穿和齐纳击穿区别有哪些

    击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象,它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、
    的头像 发表于 12-30 17:06 2w次阅读
    <b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>击穿</b>和齐纳<b class='flag-5'>击穿</b>区别有哪些