继上一篇为大家介绍了《泰凌微电子晶振频偏产生原理及背景教程(一)》,本篇将继续为大家介绍晶振频偏校准及实施步骤。
1
晶振步进确认
Telink wiki官网下载BDT工具:http://wiki.telink-semi.cn/wiki/IDE-and-Tools/Burning-and-Debugging-Tools-for-TLSR9-Series/
2、打开EMI工具(以B91芯片系列为例)
3、EMI程序下载(以2.4G私有协议为例)
4、读取频偏校准值 ,没有校准过的芯片读flash FE000(1M)或1FE000(2M)默认值是FF。
5、读取analog 地址8a,默认读取值是60.频偏校准值如果不是FF,则读取到的值跟随flash中的频偏校准值。
如上测试数据分析:以默认值为中心点,cap校准值变大,则频偏向负方向移动,如果频偏校准值变小,则频偏向正方向移动。当前晶振符合低延时性能指标。
2
生产验证
通过EMI工具初步选定晶振,进行小批量生产,统计默认状况下的频偏范围是否均衡分布,如果频偏是偏正偏,则选用负载电容再小点的晶振;如果频偏是偏负偏,则选用负载电容再大点的晶振,然后再进行小批试产;如果频偏有正偏也有负偏,基本均匀分布,则晶振选定,进行正常的频偏校准并对校准值进行保存,完成晶振选型和频偏校准。
如下是晶振选型及频偏校准基本流程:
晶振选型概括如下:
频偏正偏,则晶振负载电容向小的调;
频偏负偏,则晶振负载电容向大的调。
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原文标题:【技术专栏】泰凌微电子晶振频偏校准及实施步骤教程(二)
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