实例1 、pn结正向压降为何是负的温度系数呢?
回答 :pn结的正向压降Vbi公式如下:
其中本征载流子浓度ni随温度升高而急剧增大,导致Vbi随温度升高而减小,呈现负的温度系数。
实例2 、SiC pn结正向压降为何比硅的高呢?
回答 :pn结的正向压降Vbi公式如下:
其中本征载流子浓度ni公式如下:
SiC材料的禁带宽度Eg大(SiC:3.26eV,Si:1.12eV),因此ni远小于Si(SiC:5E-9/cm3,Si:9.65E9/cm3),导致Vbi大。
小江进行了简单的计算,对比曲线如下:
可知SiC PN结Vbi约3.0V(蓝线),远大于Si的约0.7V(红线)。
实例3 、与MOS不同,IGBT高温/常温输出特性曲线为何有交点?
回答 :原因为MOS导通电压由沟道、漂移区等组成(温度系数为正,主要原因为随温度升高迁移率减小),无交点。而IGBT导通电压由沟道、漂移区等其他部分(温度系数为正)和PN结电压(温度系数为负)组成,于是出现交点。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
IGBT
+关注
关注
1265文章
3760浏览量
248262 -
MOS
+关注
关注
32文章
1245浏览量
93460 -
PN结
+关注
关注
8文章
480浏览量
48637 -
SiC
+关注
关注
29文章
2758浏览量
62442 -
载流子
+关注
关注
0文章
133浏览量
7644
发布评论请先 登录
相关推荐
深入理解三极管的输出特性曲线
以上共射输出特性曲线(IC-UCE曲线)摘自Fairchild SS8050手册,为了便于理解,添加了一些描述信息。不少人看到以上三极管输出特性曲线
发表于 11-10 16:40
•6546次阅读
一文讲述三极管的输入、输出特性曲线
前段时间我们学习了三极管的工作原理,今天我们来学习三极管的输入、输出特性,但不少人看到三极管输入、输出特性曲线都会一脸蒙圈,不知如何分析,为了便于理解我们以共射NPN型晶体管放大电路为例,具体讲述三极管的输入、
发表于 02-22 14:02
•4.1w次阅读
用示波器演示三极管输出特性曲线
`一、系统框图及测量原理三极管输出特性曲线描述的是在基极电流IB不变情况下,UCE与IC之间的关系曲线。由于示波器是一种电压测量仪器,集电极电流只有转化为电压才能由示波器显示,CH2通道测量采样电阻
发表于 05-06 08:53
基于labvIEW的输入输出特性曲线测试系统
大家好,我是刚出来打酱油的,请教各位高手,求指导。我的题目是基于labvIEW的输入输出特性曲线测试系统,我的输入自定义的,如下图所示, 我怎么使进过被测电路作用之后,由DAQ卡采集到呢?然后怎么在数据拟合呢????求助求助,
发表于 10-21 23:10
[科普向]这篇让你快速搞懂IGBT的静态特性
IGBT的静态特性其实并非难以理解的东西,即便是对于外行人而言。刚接触那会儿,看到转移特性、输出特性之类的就想溜之大吉,加之网上查询的资料一概笼统简单,只描述
发表于 10-17 10:08
S8050输出特性曲线解疑
为什么我实际测试时,IB=100UA,IC约270UA,UCE约4V按照输出特性曲线,当UCE4V时,IB=100UA,IC应该大于10MA才对啊???
发表于 12-13 15:41
浅谈MOS管的输出特性曲线
恒流区在输出特性曲线中间的位置,电流Id基本不随Uds变化,Id的大小主要决定于电压Ugs,所以叫做恒流区,也叫饱和区。当MOS用来做放大电路时,就是工作在恒流区(饱和区)。
发表于 09-29 12:34
•8878次阅读
MOS管输入输出特性曲线和三极管输入输出特性曲线的参数一样吗?
MOS管输入输出特性曲线和三极管输入输出特性曲线的参数一样吗? MOS管和三极管是电子元件中最
电力MOSFET输出特性曲线分为哪三个区?
电力MOSFET输出特性曲线分为哪三个区? 电力MOSFET是一种晶体管,用于控制电压和电流。它们被广泛应用于电子设备、电机控制、照明系统和各种其他工业和商业应用。电力MOSFET的输出特性
二极管的输出特性曲线分析
二极管,作为电子技术的核心元件之一,其输出特性曲线对于理解和应用其性能至关重要。输出特性曲线描绘了二极管在不同输入条件下的电压和电流之间的关系,为我们提供了关于二极管行为的关键信息。本
晶体管的输出特性是什么
晶体管的输出特性是描述晶体管在输出端对外部负载的特性表现,这些特性直接关系到晶体管在各种电路中的应用效果和性能。晶体管的输出特性受到多种因素
评论