韩国SKMP开发出高厚度KrF光刻胶助力3D NAND闪存制造
据报道，韩国SK集团于2020年斥资400亿韩元收购当地锦湖石化的电子材料业务，收购后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已开发出一种高厚度KrF光刻胶，并通过了SK海力士的性能验证，这将有利于SK海力士3D NAND闪存的技术开发。
据悉，SKMP开发的新型KrF光刻胶厚度为14~15微米，与东进半导体（DONGJIN SEMICHEM）向三星供应的产品类似，而日本JSR公司的类似产品厚度仅为10微米。
光刻胶的厚度对于提高3D NAND闪存工艺处理效率有较大帮助，但是更高的厚度也意味着技术难度更高，因为化学材料的粘性可能导致涂层表面不平整，这也是东进半导体目前仍是三星这类产品唯一供应商的原因。随着SKMP加入竞争，SK海力士将能够用这款KrF光刻胶生产238层3D NAND闪存。
SKMP很可能取代日本JSR的主导地位，成为其主要的供应商。目前，SK海力士238层3D NAND闪存晶圆的月产能约为5000片，预计未来将进一步提升产能，从而带动SKMP公司光刻胶的销量。
SK海力士于2023年8月展示了世界首款321层NAND闪存芯片样品，属于TLC 4D NAND，容量高达1Tb，预计产品将于2025年量产。
审核编辑：刘清
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原文标题：韩国SKMP开发出高厚度KrF光刻胶，可助力3D NAND闪存制造
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发表于 11-13 18:14
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