氮化镓(GaN)功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流(DC-DC)变换器、薄膜和二维GaN器件、高电子迁移率等特点,用于制造高频、高功率密度和高效率的功率电子器件。GaN功率器件技术在多个领域都具有广泛的应用前景,可以提高系统效率、减小体积,并推动电力电子技术的发展。
近日,第九届国际第三代半导体论坛&第二十届中国国际半导体照明论坛开幕大会上。英诺赛科欧洲总经理Denis Macron分享了《具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技术》的主题报告,GaN功率器件使功率转换系统(AC/DC、DC/DC等)比硅功率器件更小、更高效、更简单,从而更便宜,从而彻底改变了功率半导体行业。然而,关于GaN功率器件仍然存在一些问题,比如它们非常昂贵,可靠性值得怀疑。
报告介绍了通过利用规模经济,8英寸高通量制造晶圆厂完全致力于生产硅晶片上的8英寸GaN(即,相对于6英寸,每片晶片约2倍的器件),可以提供具有价格竞争力的GaN功率器件。
同时介绍了innoscience的最新可靠性结果,包括失效测试和寿命提取,这将消除关于GaN功率器件可靠性的最后一个悬而未决的问题。通过展示如何利用离散(InnoGaN) 和集成(SolidGaN) Innoscience GaN功率器件增强了AC-DC和DC-DC转换器的性能,以最大限度地提高其效率,同时减小其尺寸。
审核编辑:刘清
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原文标题:英诺赛科Denis Macron:高可靠性低成本高性能的GaN功率器件技术
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