0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

罗姆ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET

皇华ameya 来源:年轻是一场旅行 作者:年轻是一场旅行 2023-12-08 17:38 次阅读

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4/R6003KND4/R6006KND4/R6002JND4/R6003JND4”,新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。

近年来,随着照明用的小型电源和电泵用电机的性能提升,对于在这些应用中发挥开关作用的MOSFET的更小型产品需求高涨。通常,对于Super Junction MOSFET而言,在保持高耐压和低导通电阻特性理想平衡的同时,很难进一步缩小体积。此次,ROHM通过改进内置芯片的形状,在不牺牲以往产品性能的前提下开发出5款更小更薄的SOT-223-3封装新产品。

与以往TO-252封装(6.60mm×10.00mm×2.30mm)的产品相比,新产品的面积减少约31%,厚度减少约27%,有助于实现更小、更薄的应用产品。另外,新产品还支持TO-252封装电路板上的布线图案(焊盘图案),因此也可以直接使用现有的电路板。

五款新产品分别适用于小型电源和电机应用,各有不同的特点。适用于小型电源的有3款型号,“R6004END4”具有低噪声的特点,适用于需要采取降噪措施的应用;“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速开关的特点,适用于需要低损耗且高效率工作的应用;“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技术加快了反向恢复时间(trr*2)并大大降低了开关损耗,属于“PrestoMOS”产品,非常适用于电机应用。

此外,为了加快这些产品的应用,在ROHM官网上还免费提供电路设计所需的应用指南和各种技术资料,以及仿真用的SPICE模型等资源。

新产品已于2023年11月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格400日元/个,不含税)。另外,新产品也已开始电商销售,从Ameya360等电商平台可购买。

今后,ROHM将继续开发不同封装和低导通电阻产品,不断扩大Super Junction MOSFET的产品阵容,通过助力各种设备降低功耗,来为解决环境保护等社会课题做出贡献。

wKgZomVy5ACAIFZgAADuYu3_m-s545.png

<什么是PrestoMOS>Presto意为“非常快”,源于意大利语的音乐术语。

PrestoMOS是ROHM自有的功率MOSFET品牌,该品牌的MOSFET产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点,还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。

wKgaomVy5ACAUCJnAAFHKuZHgLE568.png

<术语解说>

*1) Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

MOSFET是晶体管的一种,根据器件结构上的不同又可细分为Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同种类的产品。与Planar MOSFET相比,Super Junction MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻,在处理大功率时损耗更小。

*2) trr:反向恢复时间(Reverse Recovery Time)

内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低,开关时的损耗越小。

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    144

    文章

    7072

    浏览量

    212603
  • 封装
    +关注

    关注

    126

    文章

    7758

    浏览量

    142674
  • 罗姆
    +关注

    关注

    4

    文章

    397

    浏览量

    66276
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    锐骏200V低压和600V高压MOS对于电机控制和电源管理

    电机控制 锐骏Super Trench MOSFET系列产品采用屏蔽栅深沟槽技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg), 配合先进的封装
    发表于 09-23 17:07

    英飞凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

    英飞凌再次引领行业潮流,最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技术创新和卓越性价比,在全球范围内树立了高压超级结MOSFET技术的新标杆。作为英飞凌新一代硅基
    的头像 发表于 09-03 14:50 467次阅读

    AMEYA360| 开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(电动汽车)用牵引逆变器,开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”,共4款产品(750V
    的头像 发表于 06-12 13:56 334次阅读
    AMEYA360| <b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b><b class='flag-5'>开发出</b>新型二合一 SiC<b class='flag-5'>封装</b>模块“TRCDRIVE pack™”

    ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”

    小型封装内置第4代SiC MOSFET,实现业界超高功率密度,助力xEV逆变器实现小型化! 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市
    的头像 发表于 06-11 14:19 386次阅读
    <b class='flag-5'>ROHM</b><b class='flag-5'>开发出</b>新型二合一 SiC<b class='flag-5'>封装</b>模块“TRCDRIVE pack™”

    与芯驰科技面向智能座舱联合开发出参考设计“REF66004”

    全球知名半导体制造商(总部位于日本京都市)与领先的车规芯片企业芯驰科技面向智能座舱联合开发出参考设计“REF66004”。
    的头像 发表于 04-03 14:06 1232次阅读
    <b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>与芯驰科技面向智能座舱联合<b class='flag-5'>开发出</b>参考设计“REF66004”

    SA2601A马达驱动600V单相双NMOS半桥栅极驱动芯片

    为50ns,驱动能力为+0.3A/-0.6A. SA2601A采用SOP8封装。 SA2601A特性: 悬浮绝对 电压600V 电源电压工作 范围:10.0-20.0V, 兼容3.
    发表于 04-01 17:36

    芯驰科技与面向智能座舱联合开发出参考设计“REF66004”

    芯驰科技与全球知名半导体制造商面向智能座舱联合开发出参考设计“REF66004”。该参考设计主要覆盖芯驰科技的智能座舱SoC“X9M”和“X9E”产品,其中配备了
    的头像 发表于 03-28 15:23 1228次阅读
    芯驰科技与<b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>面向智能座舱联合<b class='flag-5'>开发出</b>参考设计“REF66004”

    与芯驰科技联合开发出车载SoC参考设计

    配备的PMIC和SerDes IC等产品,助力智能座舱普及! 全球知名半导体制造商(总部位于日本京都市)与领先的车规芯片企业芯驰科技面向智能座舱联合
    的头像 发表于 03-28 14:08 527次阅读
    <b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>与芯驰科技联合<b class='flag-5'>开发出</b>车载SoC参考设计

    GaN器件被台达电子采用

    半导体公司近日宣布,其旗下高性能的650V GaN器件(EcoGaN)已被全球知名的绿色解决方案供应商台达电子旗下的Innergie品牌成功采用,用于其最新推出的45W输出AC适配
    的头像 发表于 03-12 11:13 753次阅读

    ROHM开发出一款采用高速负载响应技术QuiCur™的45V耐压LDO稳压器

    近日ROHM开发出车载一次侧LDO“BD9xxM5-C”,是采用ROHM高速负载响应技术“QuiCur”的45V
    的头像 发表于 03-06 13:50 494次阅读
    <b class='flag-5'>ROHM</b><b class='flag-5'>开发出</b>一款<b class='flag-5'>采用</b>高速负载响应技术QuiCur™的45<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>耐压</b>LDO稳压器

    AOS 推出 95mohm 和 125mohm, 600V 快恢复体二极管aMOS5™ 超结MOSFET

    band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5™ 600V FRD Super J
    发表于 01-05 15:05 1163次阅读

    奖奖奖!2023产品斩获多项年度大奖,获得市场高度认可

    年度新品一览 1 2023-12-07 采用SOT-223-3小型封装600V耐压
    的头像 发表于 12-27 08:15 538次阅读
    奖奖奖!2023<b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>产品斩获多项年度大奖,获得市场高度认可

    ROHM与东芝达成合作生产功率器件协议

    来源:半导体芯科技编译 经济产业省认为联合计划支持稳定、安全的供应 日本京东和日本川崎--(BUSINESS WIRE)--株式会社(ROHM Co., Ltd.,简称“
    的头像 发表于 12-26 15:45 679次阅读
    <b class='flag-5'>ROHM</b><b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>与东芝达成合作生产功率器件协议

    新闻 | 采用SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET

    有助于照明电源、电泵、电机等应用的小型化和薄型化!产品阵容新增具有低噪声、高速开关和超短反向恢复时间特点的5款新产品。 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用
    的头像 发表于 12-12 12:10 685次阅读
    新闻 | <b class='flag-5'>采用</b><b class='flag-5'>SOT-223-3</b><b class='flag-5'>小型</b><b class='flag-5'>封装</b>的<b class='flag-5'>600V</b><b class='flag-5'>耐压</b><b class='flag-5'>Super</b> <b class='flag-5'>Junction</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    ROHM)第4代:技术回顾

    ROHM)第4代:技术回顾
    的头像 发表于 11-28 17:02 685次阅读
    <b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>(<b class='flag-5'>ROHM</b>)第4代:技术回顾