IBM、美光、应用材料、东京电子宣布合作建设 High-NA EUV 研发中心
12 月 12 日消息，今天早些时候，纽约州长凯西・霍楚尔（Kathy Hochul ）宣布与 IBM、美光、应用材料、东京电子（东京威力科创）等半导体巨头达成合作，投资 100 亿美元，在纽约州 Albany NanoTech Complex 建设下一代 High-NA EUV 半导体研发中心。
根据声明，负责协调该设施建设的非营利性机构 NY Creates 将利用 10 亿美元州政府资金向 ASML 采购 TWINSCAN EXE:5200 ***。
纽约州表示，一旦机器安装完毕，该项目及其合作伙伴将开始研究下一代芯片制造。官方声明指出，该项目将创造 700 个工作岗位，并带来至少 90 亿美元的私人投资。
此外，官方还强调，这将是北美第一个也是唯一一个拥有 High-NA EUV 光刻系统的公有研发中心，将为开发和生产 2nm 节点甚至更先进的芯片铺平道路。
审核编辑 黄宇
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