0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Power Integrations推出具有快速短路保护功能的适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器

文传商讯 来源:文传商讯 作者:文传商讯 2023-12-14 11:37 次阅读

深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可靠的工作。SCALE™-22SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能,保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏。新驱动器还具有高级有源钳位(AAC)功能,可保护开关在关断期间免受过压影响,从而实现更高的直流母线工作电压。

Power Integrations产品营销经理Thorsten Schmidt表示:“2SP0230T2x0门极驱动器具有非常高的设计灵活性;相同的硬件可用于驱动SiC MOSFET或IGBT模块。这减少了系统设计和采购方面的挑战,即插即用的方法也加快了开发速度。”

2SP0230T2x0门极驱动器基于Power Integrations成熟的SCALE-2技术,集成度更高、尺寸更小、功能更强、系统可靠性更高,是轨道交通辅助变换器、电动汽车非车载型充电装置和电网静止同步补偿器(STATCOM)稳压器等应用的理想之选。Power Integrations的紧凑型2SP0230T2x0外形尺寸为134x62mm,可提供1700V加强绝缘,可驱动耐压在1700V以内的功率模块;这比通常限制在1200V的传统驱动器高出500V。



审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 驱动器
    +关注

    关注

    52

    文章

    8138

    浏览量

    145916
  • IGBT
    +关注

    关注

    1264

    文章

    3758

    浏览量

    248193
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    29

    文章

    2751

    浏览量

    62407
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    使用隔离式 IGBTSiC 栅极驱动器的 HEV/EV 牵引逆变器设计指南

    电子发烧友网站提供《使用隔离式 IGBTSiC 栅极驱动器的 HEV/EV 牵引逆变器设计指南.pdf》资料免费下载
    发表于 09-11 14:21 0次下载
    使用隔离式 <b class='flag-5'>IGBT</b> 和 <b class='flag-5'>SiC</b> 栅极<b class='flag-5'>驱动器</b>的 HEV/EV 牵引逆变器设计指南

    新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展

    新品采用2000VSiCM1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展2000V的62mmCoolSiCMOSFET半桥模块系列新增5.2mΩ新规格。其采用了M1H芯片技术,
    的头像 发表于 07-05 08:14 301次阅读
    新品 | 采用 2000V <b class='flag-5'>SiC</b> M1H芯片的<b class='flag-5'>62mm</b>半桥<b class='flag-5'>模块</b>系列产品扩展

    新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展

    新品采用1200VSiCM1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展1200V的62mmCoolSiCMOSFET半桥模块现已上市。由于采用了M1H芯片技术,
    的头像 发表于 06-26 08:14 346次阅读
    新品 | 采用1200V <b class='flag-5'>SiC</b> M1H芯片的<b class='flag-5'>62mm</b>半桥<b class='flag-5'>模块</b>系列产品扩展

    Power Integrations推出SCALE-iFlex XLT系列驱动器

    近日,Power Integrations公司宣布推出全新的SCALE-iFlex™ XLT系列双通道即插即用型
    的头像 发表于 05-27 10:18 430次阅读

    Littelfuse发布IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器

    近日,Littelfuse公司发布了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器,这款新型驱动器在业界引起了广泛关注。
    的头像 发表于 05-23 11:34 701次阅读

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于
    的头像 发表于 05-23 11:26 770次阅读

    Power Integrations推出SCALE-iFlex XLT系列双通道即插即用型驱动器

    深耕于中高压逆变器应用驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布
    的头像 发表于 05-22 10:03 425次阅读

    TIDA-020030-具有热敏二管和感应 FET 的 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器 PCB layout 设计

    电子发烧友网站提供《TIDA-020030-具有热敏二管和感应 FET 的 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器 PCB layout 设计
    发表于 05-16 15:09 0次下载
    TIDA-020030-<b class='flag-5'>具有</b>热敏二<b class='flag-5'>极</b>管和感应 FET 的 <b class='flag-5'>SiC</b>/<b class='flag-5'>IGBT</b> 隔离式栅极<b class='flag-5'>驱动器</b> PCB layout 设计

    碳化硅模块SiC模块/MODULE)大电流下的驱动器研究

    对象,利用双脉冲实验验证了所设计驱动电路的合理性及短路保护电路的可靠性,对于800 A的短路电流,可以在1.640 μs内实现快速
    发表于 05-14 09:57

    具有反极性保护短路保护和诊断功能的100V、汽车类、低IQ 高侧驱动器TPS4800-Q1数据表

    电子发烧友网站提供《具有反极性保护短路保护和诊断功能的100V、汽车类、低IQ 高侧驱动器TP
    发表于 03-13 13:45 0次下载
    <b class='flag-5'>具有</b>反极性<b class='flag-5'>保护</b>、<b class='flag-5'>短路</b><b class='flag-5'>保护</b>和诊断<b class='flag-5'>功能</b>的100V、汽车类、低IQ 高侧<b class='flag-5'>驱动器</b>TPS4800-Q1数据表

    IGBT模块驱动介绍

    额定驱动电压:驱动电压在±20V范围内施加超过此范围的电压时,
    的头像 发表于 01-05 09:06 3016次阅读
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模块</b>的<b class='flag-5'>门</b><b class='flag-5'>极</b><b class='flag-5'>驱动</b>介绍

    隔离式栅极驱动器的演变(IGBT/SiC/GaN)

    报告内容包含: 效率和功率密度推动变革 基本的 MOSFET 栅极驱动器功能 驱动器演进以支持 IGBT(绝缘栅双极晶体管) 驱动器
    发表于 12-18 09:39 513次阅读
    隔离式栅极<b class='flag-5'>驱动器</b>的演变(<b class='flag-5'>IGBT</b>/<b class='flag-5'>SiC</b>/GaN)

    Power Integrations推出具有快速短路保护功能驱动器

    PI近日推出全新系列的即插即用型驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的
    的头像 发表于 12-14 15:47 592次阅读

    英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度

    IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块,其应用范围现已扩展至太阳能、服务、储能、电动汽
    发表于 12-05 17:03 801次阅读
    英飞凌<b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>62</b> <b class='flag-5'>mm</b>封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度

    英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度

    SiC)MOSFET芯片,采用成熟的62mm封装的半桥模块。该封装使SiCMOSFET能够应用于250kW以上的中等功率等级应用,而传统IGBT硅技术在这一功率等级应
    的头像 发表于 12-02 08:14 711次阅读
    英飞凌<b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>62mm</b>封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度