一、前言
MOS晶体管有很多种,N沟MOS晶体管是其中常见的一种,NMOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管通常具有很好的开关特性,被广泛应用在开关电源、马达驱动、LED照明等应用里面。本期,合科泰给大家讲解一款N沟道MOS管AO3416的特点和应用。
二、产品特性
作为一种常规的N沟道增强型场效应晶体管,AO3416是由源极、漏极和栅极构成,具有低导通内阻、低静态功耗和高开关速度等特点。合科泰生产的AO3416具有优良的产品特性,它的漏源电压20V,栅源电压±8V,连续漏极电流6.5A,漏源导通电阻0.022Ω,最小栅极阀值电压0.4V,最大栅极阀值电压1.1V,耗散功率1400 mW,整机重量约0.008克。
合科泰工厂生产的AO3416采用小型化的SOT-23封装,SOT-23封装是贴片MOS管中最常见的封装类型之一,它是一种小型封装,具有体积小、重量轻、耐高温等特点。由于其尺寸较小,因此适用于空间有限电路应用。
AO3416能在低电压下工作,特别适用于低电压和中等电流应用领域的模块电路设计,包括电源管理、照明模块和各类便携式设备等。
栅极电荷测试电路及波形
R阻性开关测试电路及波形
二极管恢复测试电路及波形
三、原理及应用
正是由于AO3416产品具有上述产品特性,AO3416可用于电源、BMS、无线通讯系统、汽车电子、LED照明等领域,客户可根据自己具体的应用场景和电路特点,综合考虑MOS的特性与匹配程度,选择适合的分立器件,满足实际需求。
上图为AO3416 NMOS管在一键开关机电路中的实际应用案例,这个管子在电路中起到开关控制电路的作用。成功地利用了该管子的高开关速度和低导通内阻特性。是小信号MOS管控制电路的非常典型的案例。
合科泰生产的AO3416产品具有稳定、高效率特点,如果您对合科泰这款AO3416感兴趣,可以向公司申请样品测试、打样,期待与您的合作。如您想详细了解更多合科泰半导体产品信息,可以点击左下方“阅读原文”进入我司官网。
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合科泰半导体
合科泰初创于1992年,是一家专业从事集成电路封装测试和分立器件研发、封测制造、终端销售与服务的高科技创新企业。产品线包括二极管、三极管、MOSFET、桥堆、整流管、电源管理IC、锂电池保护IC等,产品广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、智能穿戴、电子烟、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
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广东合科泰实业有限公司成立于2010年,位于东莞市塘厦莆心湖,占地面积15000多平方米 ,主要从事集成电路和分立器件的封装、测试与OEM代工。作为主要的生产基地,目前产线拥有生产设备近1000台,工厂设有先进实验室,2022年公司的年产能超100亿颗。
合科泰在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了丰富的核心技术,拥有多项国家发明专利和实用新型专利等,公司通过了 ISO9001、ISO14001、IATF16949 等体系认证并持续培训。
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原文标题:采用SOT-23封装的N沟道MOS管AO3416,可用于电源管理和LED照明等领域
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