Sumitomo射频应用氮化镓 (GaN) 器件该怎么选？
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。
- 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信的 GaN HEMT
- 功率氮化镓-用于雷达 C/X 波段的 GaN HEMT
- 功率氮化镓-用于海洋雷达的 GaN HEMT
- 功率氮化镓-用于雷达 L/S 波段的 GaN HEMT
- 功率氮化镓-通用 GaN HEMT
- 功率砷化镓-内部匹配的高功率 GaAs FET
功率砷化镓-功率放大器 MMIC
- 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信的 GaN HEMT
- 高输出功率
- 高增益
- 高效率
- 内部匹配
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用于雷达 C/X 波段的 GaN HEMT
- 高达 520W（典型值）的高功率
- 高增益
- 高效率
- 宽带
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用于海洋雷达的 GaN HEMT
- 高达 340W（典型值）的高功率
- 高增益
- 高效率
- 海洋雷达
- 阻抗匹配Z 输入/Z 输出= 50 欧姆
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功率氮化镓-用于雷达 L/S 波段的 GaN HEMT
- 高达 570W（典型值）的高功率
- 高增益
- 高效率
- 宽带
- 阻抗匹配Z 输入/Z 输出= 50 欧姆
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功率氮化镓-通用 GaN HEMT
- 高达 150W（典型值）的高功率
- 高效率
- 可连续波操作
- 并发宽带操作
- 小型无凸缘封装
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功率砷化镓-内部匹配的高功率 GaAs FET
- FLM/ELM 系列是内部匹配的功率 GaAs FET，专为无线电链路应用而开发，这些应用需要在 4.4GHz 至 14.5GHz 频段的 50 Ω 系统中实现高功率、高增益和低失真。
- 输入/输出内部匹配Zin/Zout = 50ohm
- 密封金属壁封装
- 高增益
- 高输出功率（高达 45W）
- 低失真
- 覆盖宽带
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功率砷化镓-功率放大器 MMIC
- 在合适的高频封装中的 GaAs 功率放大器 MMIC，在 C 频段到 Ka 频段的频率范围内输出功率为 50mW - 2W。提供各种类型的封装，包括高可靠性密封型、低成本表面贴装型。
- MMIC 可以进行封装以满足客户的成本/性能要求。
- 输入和输出内部匹配 Zin/Zout =50ohm
- 高输出功率（高达2W）
- 高增益
- 低失真
- 小型密封封装（V1B/V1D/VU）
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