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Sumitomo射频应用氮化镓 (GaN) 器件该怎么选?

立年电子科技 2023-12-15 18:11 次阅读
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Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。


  • 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信的 GaN HEMT
  • 功率氮化镓-用于雷达 C/X 波段的 GaN HEMT
  • 功率氮化镓-用于海洋雷达的 GaN HEMT
  • 功率氮化镓-用于雷达 L/S 波段的 GaN HEMT
  • 功率氮化镓-通用 GaN HEMT
  • 功率砷化镓-内部匹配的高功率 GaAs FET

功率砷化镓-功率放大器 MMIC

  • 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信的 GaN HEMT
  • 高输出功率
  • 高增益
  • 高效率
  • 内部匹配

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  • SGK 7785-100A
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  • SGK 1314-60A
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  • SGC 7172-30A
  • SGC 7172-120A

用于雷达 C/X 波段的 GaN HEMT

  • 高达 520W(典型值)的高功率
  • 高增益
  • 高效率
  • 宽带

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  • SGC 0910-300B-R
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  • SGC 1112-100B-R
  • SGM6901VU

用于海洋雷达的 GaN HEMT

  • 高达 340W(典型值)的高功率
  • 高增益
  • 高效率
  • 海洋雷达
  • 阻抗匹配Z 输入/Z 输出= 50 欧姆

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功率氮化镓-用于雷达 L/S 波段的 GaN HEMT

  • 高达 570W(典型值)的高功率
  • 高增益
  • 高效率
  • 宽带
  • 阻抗匹配Z 输入/Z 输出= 50 欧姆

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功率氮化镓-通用 GaN HEMT

  • 高达 150W(典型值)的高功率
  • 高效率
  • 可连续波操作
  • 并发宽带操作
  • 小型无凸缘封装

相关型号

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  • SGNH130M1H

功率砷化镓-内部匹配的高功率 GaAs FET

  • FLM/ELM 系列是内部匹配的功率 GaAs FET,专为无线电链路应用而开发,这些应用需要在 4.4GHz 至 14.5GHz 频段的 50 Ω 系统中实现高功率、高增益和低失真。
  • 输入/输出内部匹配Zin/Zout = 50ohm
  • 密封金属壁封装
  • 高增益
  • 高输出功率(高达 45W)
  • 低失真
  • 覆盖宽带

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  • FLM 1314-12F
  • FLM 1314-18F
  • ELM 114-3CF/ 001

功率砷化镓-功率放大器 MMIC

  • 在合适的高频封装中的 GaAs 功率放大器 MMIC,在 C 频段到 Ka 频段的频率范围内输出功率为 50mW - 2W。提供各种类型的封装,包括高可靠性密封型、低成本表面贴装型。
  • MMIC 可以进行封装以满足客户的成本/性能要求。
  • 输入和输出内部匹配 Zin/Zout =50ohm
  • 高输出功率(高达2W)
  • 高增益
  • 低失真
  • 小型密封封装(V1B/V1D/VU)

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