碳化硅功率半导体多芯片封装技术研究
过去几十年里，半导体技术快速发展，芯片特性显著提升。大功率半导体器件是由多颗半导体裸芯片通过封装集成而形成，面临着封装特性提升较慢，无法匹配芯片特性等挑战。
近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。期间，“碳化功率器件及其封装技术”分会上，西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院院长王来利教授做了“碳化硅功率半导体多芯片封装技术”的主题报告，分享了最新研究进展。
研究提出了磁耦合精确调控多芯片并联电热均衡方法，提出了控制磁场耦合度的多芯片电热应力调控方法，解决了多芯片不均衡性电热应力调控难题，为提高宽禁带器件容量与可靠性建立了基础。
首次获得了碳化硅半导体在550℃高温的动静态特性，掌握了碳化硅极宽温度范围内关键特征参数变化规律，并基于高温器件实现了环境温度265℃的高温变换器。
审核编辑：刘清
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原文标题：王来利教授：碳化硅功率半导体多芯片封装技术
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