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碳化硅功率器件的基本原理、应用领域及发展前景

国晶微第三代半导体碳化硅SiC 来源:国晶微第三代半导体碳化 2023-12-21 09:43 次阅读

一、引言

随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高导热率和高电子饱和迁移率,使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点。本文将介绍碳化硅功率器件的基本原理、应用领域以及发展前景。

二、碳化硅功率器件的基本原理

碳化硅功率器件主要包括二极管晶体管等,它们的工作原理与硅功率器件类似,主要依赖于半导体材料的能带结构。然而,碳化硅的能带结构与硅有所不同,这使得碳化硅功率器件具有一些独特的性能。

碳化硅二极管

碳化硅二极管是一种具有整流作用的功率器件,其工作原理与硅二极管类似。当外加正向电压时,碳化硅二极管中的电子从N区注入P区,形成正向电流。当外加反向电压时,碳化硅二极管中的空穴从P区注入N区,形成反向电流。由于碳化硅的能带结构具有高禁带宽度和高电子饱和迁移率,使得碳化硅二极管具有高耐压、高电流密度、高效率等优点。

碳化硅晶体管

碳化硅晶体管是一种具有放大作用的功率器件,其工作原理与硅晶体管类似。当外加电压时,碳化硅晶体管中的电子和空穴在基区中形成电流,并通过集电区的收集作用形成输出电流。由于碳化硅的能带结构具有高禁带宽度和高电子饱和迁移率,使得碳化硅晶体管具有高耐压、高电流密度、高效率等优点。

三、碳化硅功率器件的应用领域

新能源汽车

随着新能源汽车市场的不断扩大,碳化硅功率器件在新能源汽车中的应用也越来越广泛。碳化硅功率器件的高效率、高功率密度和高可靠性,使得它成为新能源汽车逆变器电机控制器等核心部件的首选。

轨道交通

轨道交通对于电力电子设备的要求非常高,而碳化硅功率器件的高效率、高功率密度和高可靠性正好满足这一要求。因此,碳化硅功率器件在轨道交通领域的应用也越来越广泛,如牵引逆变器、辅助电源等。

智能电网

智能电网是未来电力系统的必然趋势,而碳化硅功率器件的高效率、高功率密度和高可靠性正好满足智能电网的需求。因此,碳化硅功率器件在智能电网中的应用也越来越广泛,如无功补偿器、有源滤波器等。

四、发展前景

随着电力电子技术的不断发展,碳化硅功率器件的应用前景越来越广阔。未来,随着技术的不断进步和成本的逐渐降低,碳化硅功率器件将在更多领域得到应用。同时,随着新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域的不断发展,碳化硅功率器件的市场需求也将不断增长。因此,碳化硅功率器件的发展前景非常广阔。

五、结论

本文介绍了碳化硅功率器件的基本原理、应用领域以及发展前景。可以看出,碳化硅功率器件作为一种新型的半导体材料,具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点,未来将在更多领域得到应用并实现更大发展。

无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业,从事碳化硅场效应管,碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内,并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。

公司具有国内领先的研发实力,专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力。

公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品,性能达到国际先进水平,应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性,即使在高温条件下也能体现优异的电气特性,大幅降低开关损耗,使元器件更小型化及轻量化,效能更高效,提高系统整体可靠性,可使电动汽车在续航里程提升10%,整车重量降低5%左右,并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。

特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm光敏光栅开关PVG芯片技术,并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrms SOP超小封装及3750kVrms隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装,单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品,均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。

公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位,并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术,拥有多项国际、国内自主发明专利。

“国之重器,从晶出发,自强自主,成就百年”是国晶微半导体的企业目标,我们为员工提供精彩的发展空间,为客户提供精良的产品服务,我们真诚期待与您携手共赢未来。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:碳化硅功率器件:推动电力电子发展的新动力

文章出处:【微信号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC,微信公众号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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