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中微半导正式推出工业级芯片BAT32G113

中微半导 来源:中微半导 2023-12-25 16:39 次阅读

中微半导体(深圳)股份有限公司于近日正式推出工业MCU BAT32G113,芯片工作温度-40℃~125℃,提供QFN24(3mmx3mm)和QFN32封装可选,主要面向光模块、传感器、工业通讯、测量仪器仪表等空间受限型应用。

随着5G不断普及,市场对光数据传播需求不断增长,并期望方案体积更小、成本更低,同时又保持低功耗和高可靠性能。中微半导专注于8位及32位MCU、SoC、ASIC等芯片设计,针对5G基础建设、数据市场需求,推出工业级BAT32G113以匹配光数据各种传输速率和应用场景。

BAT32G113符合光模块应用并具备优势性能,与传统解决方案相比,该系列具备高集成度、更低功耗和更小尺寸的特点,有助进一步简化和加快光模块系统设计

BAT32G113基于Arm Cortex-M0+内核,工作频率64MHz,32KB Flash,4KBSRAM,2.0~5.5V宽工作电压,集成A/D转换器、D/A转换器、温度传感器比较器及运放(PGA),支持I2C、SPI、UART多种标准接口,并内置硬件乘除法器,工作温度-40℃~125℃。

BAT32G113集成了丰富的片上资源,内置12bit ADC,采样率1.42Msps,10个外部复用通道,3个内部通道连接PGA,内部温度传感器以及内部基准电压。BAT32G113支持从机双地址IIC,可同时用于与外部相连的I2C辅助接口和与模拟前端通信,支持光模块开发人员所需的精密模拟性能

BAT32G113同时内含2路12位的DAC输出,无需外挂DAC模块。除了光电转换模块、光纤网络模块应用,QFN24和QFN32小封装,尺寸仅3mmx3mm,亦非常适合应用于传感器、精密仪器、工业控制设备和智能传感自动化系统等应用中

BAT32G113将以出色模拟性能、低功耗(休眠模式下电流低至1.5uA)和高可靠性,帮助客户优化速度、功耗和成本,以满足不断增长的光数据通信及工业控制应用需求。

BAT32G113 开发支持

在开发支持方面,中微半导基于BAT32G113提供完善软硬件开发套件、应用文档、一站式解决方案和现场技术支持服务。

BAT32G113开发板支持3.3V/5V供电切换,同时板载CMS-ICE8 OB调试器,仅需一条Type-C线即可实现仿真、串口打印功能,方便客户快速验证产品








审核编辑:刘清

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原文标题:【新品发布】中微半导正式推出工业级芯片BAT32G113

文章出处:【微信号:中微半导,微信公众号:中微半导】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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