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碳化硅功率器件的工作原理和优势

国晶微第三代半导体碳化硅SiC 来源:国晶微第三代半导体碳化 2023-12-26 09:31 次阅读

碳化硅功率器件:未来电力电子的关键

一、引言

随着科技的飞速发展,电力电子技术在各种领域中发挥着越来越重要的作用,从电动汽车到数据中心,再到可再生能源系统,其应用范围不断扩大。在这一领域,碳化硅(SiC)功率器件因其出色的性能而备受瞩目,被视为未来电力电子技术的关键。本文将深入探讨碳化硅功率器件的工作原理、优势以及市场发展趋势。

二、碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件,如MOSFET和Schottky diodes,是利用碳化硅材料的优异特性进行工作的。这种材料的禁带宽度是硅的3倍,使其具有更高的热导率、击穿场强和电子饱和速度。这些特性使得碳化硅功率器件能在更高的温度下工作,承受更大的电压和电流,且具有更快的开关速度。

在具体应用中,碳化硅功率器件通常用于高频率、高温和高电压的环境,例如电动汽车的电机驱动系统、风电场的能源转换系统等。

三、碳化硅功率器件的优势

高效率:由于碳化硅的电子饱和速度高,使得碳化硅功率器件具有更高的开关频率,从而降低了能量损失,提高了整个系统的效率。

节能:由于碳化硅的高热导率,使得器件能在高温环境下工作,减少了散热器的需求,从而减小了系统的体积和重量,进一步提高了能效。

可靠性:碳化硅的物理特性使得其能够承受更高的温度和电压,从而提高了系统的可靠性。

降低成本:虽然碳化硅材料本身的价格较高,但由于其能提高系统的能效、减小散热器的需求以及提高系统的可靠性,因此从长远来看,采用碳化硅功率器件可以降低系统的总成本。

四、碳化硅功率器件的市场发展趋势

随着对电力电子系统能效要求的不断提高,碳化硅功率器件的市场需求正在迅速增长。据市场研究报告显示,预计到2026年,全球碳化硅功率器件市场规模将达到25亿美元,年复合增长率达到20%。

在应用领域方面,电动汽车和可再生能源将是最大的市场驱动力。随着电动汽车的普及和电池技术的提高,对电机驱动系统的能效要求越来越高,这为碳化硅功率器件提供了广阔的应用空间。同样,在可再生能源领域,如太阳能逆变器和风电变流器中,碳化硅功率器件的高效性能也备受青睐。

此外,随着5G通信物联网等新兴技术的发展,数据中心和边缘计算设备的电力需求也在不断增长。在这些领域中,碳化硅功率器件的高效、节能特性也得到了广泛应用。

然而,尽管碳化硅功率器件的市场前景十分美好,但其发展仍面临一些挑战。首先,碳化硅材料制备难度大、成本高。目前碳化硅功率器件的主要生产商仍集中在美国和日本等发达国家。尽管国内也在积极布局碳化硅产业链,但整体上仍处在追赶阶段。其次,碳化硅功率器件的应用需要与传统的硅基器件进行兼容。这需要在设计、制造和应用方面进行大量的研发和创新工作。

五、结论

综上所述,碳化硅功率器件凭借其卓越的性能和广泛的应用前景,被视为未来电力电子技术的关键。尽管目前还面临着一些挑战,但其巨大的市场潜力和技术优势使得各国都在加大投入力度,积极布局这一领域。随着技术的不断进步和应用的深入拓展,我们有理由相信,碳化硅功率器件将在未来的电力电子领域中发挥越来越重要的作用。

无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业,从事碳化硅场效应管,碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内,并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。

公司具有国内领先的研发实力,专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力。

公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品,性能达到国际先进水平,应用于太阳能逆变电源新能源电动汽车及充电桩智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性,即使在高温条件下也能体现优异的电气特性,大幅降低开关损耗,使元器件更小型化及轻量化,效能更高效,提高系统整体可靠性,可使电动汽车在续航里程提升10%,整车重量降低5%左右,并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。

特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm光敏光栅开关PVG芯片技术,并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrms SOP超小封装及3750kVrms隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装,单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品,均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。

公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位,并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术,拥有多项国际、国内自主发明专利。

“国之重器,从晶出发,自强自主,成就百年”是国晶微半导体的企业目标,我们为员工提供精彩的发展空间,为客户提供精良的产品服务,我们真诚期待与您携手共赢未来。

审核编辑:汤梓红
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原文标题:碳化硅功率器件:未来电力电子的关键

文章出处:【微信号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC,微信公众号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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