又到岁末年初时,电子发烧友网策划《2024半导体产业展望》专题,收到了数十位国内外创新领袖企业高管的前瞻观点。此次电子发烧友网特别采访了CGD亚太区FAE经理徐维利,以下是他对2024年半导体市场的分析与展望。
Cambridge GaN Devices(CGD)是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。
CGD由剑桥大学的Florin Udrea教授和Giorgia Longobardi博士于2016年成立,旨在开发功率器件领域的革命性技术。公司的使命是通过提供易于实现的高能效GaN解决方案,将创新融入日常生活。CGD设计、开发和销售适合大批量生产的GaN晶体管和IC,致力于在能源效率和紧凑性方面实现大幅改变。
回顾2023年,可以发现由于需求力道不强,库存压力等情况,2023年的环境相对是比较艰辛的,不过这也是专心思考,订立策略并且发展新技术的好时机。
在2023年间,针对待机功耗大幅降低的未来需求,CGD推出了ICeGaN H2系列来因应,也得了国内ElectronicsWeekly的年度功率系统产品奖项,以及2023年EE Award Asia的奖项。获得肯定的同时,CGD也会继续求进步,努力推广ICeGaN,为减少碳足迹尽一份心力。
值得注意的一点是,在当下,AI大模型已经成为新型智算基础设施,云端服务器和手机端大模型的演进也正在进行。产生不少需求的同时,也为厂商带来了不小的技术挑战。
CGD看到由于AI生成服务的大幅兴起,对于算力的需求显著提升。新世代的GPU对于功率的需求也跳跃式的增加,换句话说,提高功率密度是势在必行。
第三代半导体,尤其是适合高频切换的氮化镓对于提高功率密度更有帮助。针对大功率的应用,配合新世代的水冷板加气冷散热,适合大功率大电流,针对散热系统优化的封装便是未来几年半导体厂商需要面对的重要课题。
数据显示,2022年中国第三代半导体市场规模达到111.79亿元,同比增长39.2%,2018年到2022年复合增长率为43%,增长速度惊人。其中2022年GaN半导体市场规模达到62.58亿元。
据Market and Market 、Yole等机构的增长幅度测算,预计到2026年全球GaN元件市场规模将增长到423亿美元,即突破千亿人民币,年均复合增长率约为13.5%。
与此同时,由于生成式AI服务的兴起,AI服务器已经成为显著的趋势。第三代半导体在新兴的5G数据中心的应用将成为近期最火热,并且显著成长的领域。
CGD的ICeGaN™技术受到强大的IP产品组合的保护,该产品组合基于公司领先的创新技能和远大目标而不断发展。除了数百万美元的种子基金以及A轮和B轮私募投资外,CGD迄今为止还成功获得了iUK、BEIS和EU(Penta)资助的四个项目。CGD团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现,为其专有技术初期打入市场奠定了坚实的基础。
Cambridge GaN Devices(CGD)是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。
CGD由剑桥大学的Florin Udrea教授和Giorgia Longobardi博士于2016年成立,旨在开发功率器件领域的革命性技术。公司的使命是通过提供易于实现的高能效GaN解决方案,将创新融入日常生活。CGD设计、开发和销售适合大批量生产的GaN晶体管和IC,致力于在能源效率和紧凑性方面实现大幅改变。

CGD亚太区FAE经理徐维利
回顾2023年,可以发现由于需求力道不强,库存压力等情况,2023年的环境相对是比较艰辛的,不过这也是专心思考,订立策略并且发展新技术的好时机。
在2023年间,针对待机功耗大幅降低的未来需求,CGD推出了ICeGaN H2系列来因应,也得了国内ElectronicsWeekly的年度功率系统产品奖项,以及2023年EE Award Asia的奖项。获得肯定的同时,CGD也会继续求进步,努力推广ICeGaN,为减少碳足迹尽一份心力。
值得注意的一点是,在当下,AI大模型已经成为新型智算基础设施,云端服务器和手机端大模型的演进也正在进行。产生不少需求的同时,也为厂商带来了不小的技术挑战。
CGD看到由于AI生成服务的大幅兴起,对于算力的需求显著提升。新世代的GPU对于功率的需求也跳跃式的增加,换句话说,提高功率密度是势在必行。
第三代半导体,尤其是适合高频切换的氮化镓对于提高功率密度更有帮助。针对大功率的应用,配合新世代的水冷板加气冷散热,适合大功率大电流,针对散热系统优化的封装便是未来几年半导体厂商需要面对的重要课题。
数据显示,2022年中国第三代半导体市场规模达到111.79亿元,同比增长39.2%,2018年到2022年复合增长率为43%,增长速度惊人。其中2022年GaN半导体市场规模达到62.58亿元。
据Market and Market 、Yole等机构的增长幅度测算,预计到2026年全球GaN元件市场规模将增长到423亿美元,即突破千亿人民币,年均复合增长率约为13.5%。
与此同时,由于生成式AI服务的兴起,AI服务器已经成为显著的趋势。第三代半导体在新兴的5G数据中心的应用将成为近期最火热,并且显著成长的领域。
CGD的ICeGaN™技术受到强大的IP产品组合的保护,该产品组合基于公司领先的创新技能和远大目标而不断发展。除了数百万美元的种子基金以及A轮和B轮私募投资外,CGD迄今为止还成功获得了iUK、BEIS和EU(Penta)资助的四个项目。CGD团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现,为其专有技术初期打入市场奠定了坚实的基础。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
GaN
+关注
关注
21文章
2383浏览量
84336 -
CGD
+关注
关注
0文章
14浏览量
8436 -
第三代半导体
+关注
关注
3文章
181浏览量
7893 -
生成式AI
+关注
关注
0文章
538浏览量
1129
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
高频交直流电流探头在第三代半导体功率模块动态测试中的精准测量
高频交直流电流探头克服磁饱和问题,实现超宽频带响应,适用于第三代半导体动态测试,提升电流测量精度与效率。
深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体
深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体碳化硅材料的肖特基二极管和碳化硅mos管的生产技术,开启了在半导体行业高速发
发表于 01-31 08:46
高频交直流探头在第三代半导体测试中的应用
高频交直流探头基于法拉第电磁感应原理,具备高带宽、高精度和高分辨率,适用于第三代半导体器件的动态特性、栅极电流测量及开关损耗计算。
Neway第三代GaN系列模块的生产成本
Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响,整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成:核心
发表于 12-25 09:12
上海永铭:第三代半导体落地关键,如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案
AMEYA360代理品牌:上海永铭第三代半导体落地关键,如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案 引言:氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术正推动功率电子革命,但真正的场景
第三代半导体半桥上管电压电流测试方案
在第三代半导体器件的研发与性能评估中,对半桥电路上管进行精确的电压与电流参数测试,是优化电路设计、验证器件特性的关键环节。一套科学、可靠的测试方案可为技术开发提供坚实的数据支撑,加速技术迭代与产业化
CINNO出席第三代半导体产业合作大会
10月25日,第三代半导体产业合作大会在盐城高新区召开。省工业和信息化厅二级巡视员余雷、副市长祁从峰出席会议并致辞。盐都区委书记马正华出席,盐都区委副书记、区长臧冲主持会议。
基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用
基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用 第一章:B3M技术平台架构前沿 本章旨在奠定对基本半导体(BASIC Semiconductor)B3M系列的技术认知
电镜技术在第三代半导体中的关键应用
第三代半导体材料,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现,正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中,电镜技术发挥着不可或缺的作用
SiC碳化硅第三代半导体材料 | 耐高温绝缘材料应用方案
发展最成熟的第三代半导体材料,可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下,碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业,万众瞩目。陶瓷方面,
第三代半导体的优势和应用领域
随着电子技术的快速发展,半导体材料的研究与应用不断演进。传统的硅(Si)半导体已无法满足现代电子设备对高效能和高频性能的需求,因此,第三代半导体
瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析(1)
随着AI技术井喷式快速发展,进一步推动算力需求,服务器电源效率需达97.5%-98%,通过降低能量损耗,来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇,瑞能半导体先发制人,推出的
CGD徐维利:生成式AI需求骤升,第三代半导体成关键
评论