0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

DRAM价格飙升,三星和美光计划Q1涨幅高达20%

百能云芯电子元器件 2024-01-03 18:14 次阅读

根据最新的存储器模组行业消息,随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升,三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格,涨幅预计将达到15%-20%。

业内分析师指出,上游制造商的关注点正在从NAND转移到DRAM,特别是DDR4和DDR5等型号,成为下一轮价格上涨的关键推动力。

尽管市场需求目前尚未完全稳定,但存储器行业内部人士透露,他们最近收到了三星提出的警告,预计第1季DRAM价格至少将上涨15%。至于NAND的涨幅虽然尚未明确提出,但预计将继续上涨,存储器价格上涨趋势可能会持续至2024年底。

此外,其他存储器模组制造商也向客户发布通知,预计在2024年第1季,三星和美光将相继上调DRAM价格,涨幅约为15%到20%。与去年12月DRAM报价微幅上涨2%-3%相比,这一涨幅明显低于3D TLC NAND的上涨幅度,后者约为10%。

随着手机和服务器需求逐渐回升,预计2024年DRAM市场供应将持续紧张。从1月份开始,制造商将调整DRAM的新报价,以促使客户提前规划未来的使用需求。

业内观察认为,进入2024年后,DRAM价格上涨的趋势将变得更加显着。由于DDR4库存较高,导致市场价格相对疲弱,为了缓解营运亏损,预计2024年上半年将集中调整DDR4和DDR5的价格,而DDR3的产能和需求相对稳定,其涨幅相对平稳。

尽管上游制造商在第1季度启动DRAM价格上涨行动并不令人意外,但存储器模组制造商认为DRAM价格上涨的动力主要仍然来自于上游制造商的人为操纵。他们此前的内部预测已经表明,他们预计将迎来单季涨幅约15%到20%,因此近几个月已陆续回购低价库存。

预计这轮DRAM价格上涨将由三星率先发动,其操作方式几乎与2023年第3季NAND价格上涨相似。然而,未来DRAM价格是否会像NAND Wafer一样强劲攀升,还需观察市场需求。

业内预计,随着上游制造商酝酿2024年第1季DRAM价格上涨,多家记忆体模组制造商已经收到信号,启动备货计划。预计向OEM厂提供的合同价格将在一个季度内有所延后,从第2季度开始将充分反映DRAM价格上涨的趋势。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • DRAM
    +关注

    关注

    40

    文章

    2336

    浏览量

    184122
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1701

    浏览量

    136746
  • 美光
    +关注

    关注

    5

    文章

    718

    浏览量

    51564
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1641

    浏览量

    31726
收藏 人收藏

    相关推荐

    存储芯片大反弹,三星一季度利润暴涨近10倍

    了过去的颓势,结束了从2022年第季度以来开始的下滑趋势。   另一方面,受益于智能手机及人工智能的发展,导致数据中心服务器需求大增,包括商用存储的紧缺,都让三星业绩得以大幅增长。     三星
    的头像 发表于 04-08 00:17 3610次阅读
    存储芯片大反弹,<b class='flag-5'>三星</b>一季度利润暴涨近10倍

    Arm涨价计划或影响三星Exynos芯片未来

    据外媒报道,芯片巨头Arm计划大幅度提高授权许可费用,涨幅最高可达300%。这一消息对三星Exynos芯片的未来发展构成了严峻挑战。
    的头像 发表于 01-23 16:17 206次阅读

    三星电子否认1b DRAM重新设计报道

    DRAM内存产品面临的良率和性能双重挑战,已决定在2024年底对现有的1b nm工艺进行改进,并从头开始设计新版1b nm DRAM。然而,三星
    的头像 发表于 01-23 15:05 236次阅读

    三星否认重新设计1b DRAM

    据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星
    的头像 发表于 01-23 10:04 620次阅读

    三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟

    据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将
    的头像 发表于 01-22 15:54 230次阅读

    三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期

    (High Bandwidth Memory 4)内存规划方面产生影响。 原本,三星电子计划在2024年12月前将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,这是结束开发工作并进入量产阶
    的头像 发表于 01-22 14:27 228次阅读

    三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

    近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新
    的头像 发表于 01-22 14:04 344次阅读

    今日看点丨曝三星计划Q3对DRAM、NAND涨价15%~20%;传苹果将大砍一半产线员工

    1. 传三星计划Q3 对DRAM 、NAND 涨价15%~20% ,现已通报客户   6月26日
    发表于 06-27 11:02 498次阅读

    三星已成功开发16层3D DRAM芯片

    在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露
    的头像 发表于 05-29 14:44 911次阅读

    涨价20%!三星、 SK 海力士将停止供货这类芯片

    业界传出,全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场抢货潮,导致近期DDR3价格飙涨
    的头像 发表于 05-14 10:31 472次阅读

    三星电子提前组建DRAM技术开发团队

    全球最大的DRAM制造商——三星电子、SK海力士以及美计划在今年季度到明年逐步实现
    的头像 发表于 05-09 14:56 521次阅读

    SK海力士、三星电子年内启动1c纳米DRAM内存量产

    三星近期在Memcon 2024行业会议中声称,计划于今年底以前实现1c nm工艺的量产。另据行业消息人士透露,SK海力士已确定在第季度实现1
    的头像 发表于 04-09 16:53 939次阅读

    三星Q1利润有望暴增7.5倍

    据百能云芯电.子元器.件商.城了解,在半导体业务亏损减少及DRAM和NAND Flash价格回暖的双重利好下,市场对三星电子第一季度业绩的表现充满高度期待。金融资讯企业fnguide透露,多家
    的头像 发表于 03-18 17:25 460次阅读

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产
    的头像 发表于 03-14 15:35 624次阅读

    三星Q1利润将暴涨669%

    WitDisplay消息,由于存储器半导体行业的改善,三星电子等半导体公司今年第一季度(1月至3月)的业绩有望大幅改善。
    的头像 发表于 03-12 18:17 1646次阅读