2023年存储芯片行业十大关键词

（电子发烧友网 文/黄晶晶）过去的一年，存储市场跌宕起伏，从低潮逐渐回暖，新兴应用市场对存储的拉动丝毫不减，服务器、汽车存储马力十足，带动存储新技术例如高速接口、HBM等快速发展。这一年在半导体投资低迷的形势下存储行业仍然出现不错的投融资行为，旷日持久的知识产权纠纷案也终见分晓。让我们一起回顾充满挑战的2023年，并迎接2024年的新机遇。

知识产权

首先跳出来的重大事件非美光和晋华达到全球和解莫属。

2023年12月26日美光科技表示已经与福建晋华达成全球和解协议，两家公司将在全球范围内各自撤销对对方的起诉，并结束双方之间的所有诉讼。这场起源于2016年的涉及美光科技、联华电子和福建晋华三方的知识产权案迎来终局。

在国内，存储行业也同样发生着知识产权案件。

12月18日，江波龙发布公告指出，近日收到了深圳中院出具的《民事判决书》的一审判决。深圳中院在判决书中认为：深圳市晶存科技有限公司未经许可在 LPDDR3 芯片测试经营业务中使用了公司在案件中主张的相关商业秘密密点的技术信息。根据判决，被告卢浩、赵迎、深圳市晶存科技有限公司于本判决生效之日起十日内连带赔偿原告深圳市江波龙电子股份有限公司经济损失14,183,388.42元。

无论是和解还是判决，知识产权保护是芯片企业绕不开的话题。这些典型事件将促使行业更加重视知识产权，只有保护知识产权，才能保护创新。

去库存

2023年以来存储芯片厂商由于盈利情况不佳，大多处于持续削减产能、消化库存的状态，美光科技、三星电子、SK海力士、铠侠等纷纷采取了减产动作。终端需求不振延缓去库存的时间。2023年智能手机出货量整体不佳。根据 Counterpoint Research 的 《智能手机 360报告》 对全球智能手机出货量的预测，预计2023年全球智能手机出货量将同比下降5%，达到12亿台，为近十年最低水平。不过，今年第四季度出货量将同比增长3%，达到3.12亿台。

我们知道芯片供求每隔两三年都会出现周期性波动，但是像2023年出现的这般终端需求低迷、芯片供应过剩长时间持续的情况还是比较少见的。这也是前两年芯片缺货、疯狂扩产的“后遗症”体现。

裁员

受行业低迷影响，存储大厂陆续传出裁员的消息。美光在台湾启动大规模裁员。2023年2月，部分中国台湾美光员工爆料该公司无预警裁员，“十分钟通知走人”。美光公司发言人Erica Rodriguez Pompen表示，“由于我们努力使计划、项目、时间表和路线图与市场条件保持一致，美光现在预计裁员将接近15%，其中包括到2023年日历年底的预期减员。另外，美光还在削减高管薪酬，并在本财年结束前不发放奖金。”

10月份，SK海力士控股的英特尔前SSD业务部门Solidigm，在一份声明中表示：“由于半导体行业的长期低迷及其对市场状况的影响，Solidigm 已实施裁员。公司正在为即将离职的同事提供支持和遣散费。”

裁员自然是行业周期波动影响到企业经营的体现。相信被裁员笼罩的阴影会随着存储行业的复苏而消散。

涨价

西部数据12月5日对客户发布涨价通知，预告NAND及HDD将展开浮动涨价。其中，NAND预计将在未来几个季度内呈现周期性价格上涨，累计涨幅可能达55%；HDD将采取每周审查价格，预计价格涨势将延续至2024年上半年。

12月25日，据日媒报道，DRAM的11月价格在2年零5个月以来首次上涨。据统计，11月DRAM大宗交易价格中，DDR4型8GB产品的单价约为1.65美元，环比上涨11％，这是自2021年6月以来首次出现价格上涨。与此同时，NAND型闪存的指标产品TLC 256GB产品的单价约为1.85美元，比上一季度上涨12％。

在减产、去库存的调控下，部分存储芯片供给又出现供不应求的局面，行业回暖将越来越明显。机构预计，三星电子半导体业务DS（Device Solutions）部门在经历前三季度累计运营亏损超过12万亿韩元（约合92.4亿美元）之后，Q4三星电子DRAM业务将扭亏为盈，DS部门亏损收窄。

HBM

新型存储HBM随着AI训练需求的攀升显示出越来越重要的地位。从2013年SK海力士推出第一代HBM来看，HBM历经HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共五代产品。对于HBM3E，SK海力士预计2023年底前供应HBM3E样品，2024年开始量产。8层堆叠，容量达24GB，带宽为1.15TB/s。

三星电子近日已确认将其第五代HBM3E产品命名为“Shinebolt”，并正在向客户公司发送HBM3E产品Shinebolt原型机进行质量认可测试。Shinebolt为8层堆叠的24GB芯片，带宽比HBM3高出约 50%，达到1.228TB/s。另外，后续还有12层堆叠的36GB产品开发。

而美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E。美光HBM3E正在进行英伟达认证，首批HBM3E采用8-Hi设计，提供24GB容量和超过1.2TB/s带宽。计划于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。存储厂商的HBM3E配套给英伟达，主要是用于英伟达推出的H200 GPU以及GH200超级芯片，它们配备141GB HBM3E。

此外，SK海力士已确认2024年将启动下一代HBM4的开发工作，为数据中心和人工智能产品提供动力。

高速接口IP

Rambus发布HBM3内存控制器IP，专为需要高内存吞吐量、低延迟和完全可编程性应用而设计。相比HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的数据速率，Rambus HBM3内存控制器的数据速率提高了50%，总内存吞吐量超过1.2 TB/s，适用于推理系统的训练、生成式AI以及其他要求苛刻的数据中心工作负载。目前已与SK海力士、美光、三星完成了一整套的测试。对于选择第三方HBM3 PHY（物理层）的客户，Rambus还提供HBM3控制器的集成与验证服务。

10月，新思科技PCI Express(PCIe)6.0 IP在端到端64GT/s的连接下,成功实现与英特尔PCIe 6.0测试芯片的互操作性。新思科技PCIe 6.0 IP全面解决方案包括控制器IP、PHY IP、验证IP、以及完整性与数据加密(IDE)安全IP,能够有效加速用于高性能计算及AI应用的芯片开发。

奎芯科技推出业界领先的LPDDR5X接口IP，传输速率可达8533Mbps。奎芯HBM接口可实现支持国产工艺 PHY+ Controller 全套方案，速率可达6.4Gbps。奎芯科技推出自研的互联方案M2LINK，通过将HBM/LPDDR的接口协议转成UCIE的协议，组合成标准Chiplet模组，与主SOC合封，以实现降低主芯片和封装成本、扩大内存容量和带宽、提升性能等目的。

CXL

借助 CXL可以将内存放在非常类似于 PCIe 总线的东西上（CXL 使用 PCIe PHY 和电气元件）。这让系统能够使用带有标准 CXL 接口的卡来支持更多的内存模块，而无需额外 DDR 通道。任何需要的 CPU、GPU 或张量处理单元 (TPU) 可以访问基于标准的 CXL 接口设计的额外内存。CXL 最终将允许连接到大量的内存模块，包括 SSD、DDR DRAM 和新兴的持久内存。

到目前，CXL已经发表了1.0/1.1、2.0、3.0三个不同的版本，可以实现从单台服务器的内存容量和带宽拓展，到内存池，再到内存共享和内存访问，扩展到多台服务器的互联与并存内存。

今年5月，三星电子宣布研发出其首款支持Compute Express Link（CXL）2.0的128GB DRAM。该解决方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高达每秒35GB的带宽。预计明年上半年，会有相关产品的商用落地。同时，三星与英特尔密切合作，在英特尔至强平台上取得了具有里程碑意义的进展。

SK海力士计划在今年下半年将基于DDR5的96GB和128GB CXL 2.0内存解决方案产品商用化并提供给AI领域的客户。

融资

在早前电子发烧友网分析师团队观察到2023年半导体投资热潮下降的形势，产业链企业融资相较之前变得困难。然而也不乏在第三代半导体、汽车芯片、AI等热门领域持续获得融资的例子。存储作为半导体产业重要的组成部分，在融资降温的情况下仍然备受关注。

11月10日深圳市时创意电子完成超3.4亿元B轮战略融资，由小米产投领投，动力未来等多家产业链上下游企业、机构跟投。本轮融资将用于持续强化时创意核心存储技术及产品矩阵研发，推进全球化战略部署。2023年以来，时创意已连续完成A轮和B轮两轮战略融资。

2023年12月，深圳市嘉合劲威宣布于近日成功完成超2亿元C轮战略融资。本轮融资将用于建设智能制造工厂，强化嘉合劲威存储领域核心测试技术及产品研发。将助力嘉合劲威进一步提提升综合实力，快速开拓新市场，继续保持技术与市占率等领先优势。

汽车存储

乘联会预测，2023年12月，新能源汽车零售94.0万辆左右，环比增长11.8%，同比增长46.6%，渗透率约41.4%。预计2023年新能源汽车零售约775万辆，同比增长36.5%，渗透率35.8%，较去年全年提升8个百分点。

在风景这边独好的汽车市场，汽车存储成为许多芯片厂商争相发力的关键。这一领域美光占有较高的市场份额，而国产厂商在EEPROM、SLC NAND Flash、NOR Flash、eMMC等领域通过车规认证，打入汽车市场。

目前东芯半导体的SLC NAND Flash及NOR Flash均有产品通过AEC-Q100的测试，东芯表示将继续在严苛的车规级应用环境标准下开发新的高可靠性产品，扩大车规级产品线的丰富度。

终端企稳

IDC预计，2024年中国内地智能手机市场出货量将达到2.87亿台，同比增长3.6%，实现2021年以来首次同比增长。日前，Canalys预测显示，2024年智能手机总出货量中，AI手机的出货量将达到6000万部。预计到2024年，全球智能手机市场将实现反弹，出货量将达到11.7亿部，较2023年上涨4%。

不仅是数据中心、AI需要大容量高速的存储，智能手机的存储容量也更大，搭配大存储容量俨然成为各家手机厂商的产品卖点。今年11月推出的vivo Y100i，12GB+512GB售价1599元。12GB/16GB内存、512GB/1TB闪存搭配的智能手机比比皆是。

此外，长江存储致态正式发布Ti600和TiPlus7100的4TB SSD，采用长江存储QLC颗粒，晶栈Xtacking 3.0架构，Ti600 4TB版本单颗芯片接口速度可达2400MT/s；顺序读写速度最高可达7000MB/s、6000MB/s。全面兼容Gen4及大部分Gen3系统。

11月28日，长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。长鑫存储正完善中高端移动设备市场产品布局。

小结：

继存储芯片厂商的238层闪存量产后，闪存向着更高层数迈进。随着英特尔新一代平台Meteor lake对DDR5的全面支持，以及AI PC的带动，DDR5渗透率将更高。明年HBM3E进入量产，HBM4研发开启。

WSTS对2024年半导体市场成长率预估，由6月预测的11.8%上调至13.1%。若达成这个成长率，2024年按营收计算的半导体市场规模，将刷新2022年创下的5,740.8亿美元新高记录，总规模将攀至创纪录的5,883.6亿美元。存储芯片将引领2024年全球半导体市场成长，销售额将较2023年跃增44.8%。

可以看到，存储行业复苏已来，2024年将是兴旺繁荣的一年。