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碳化硅功率器件简介、优势和应用

国晶微第三代半导体碳化硅SiC 来源:国晶微第三代半导体碳化 2024-01-09 09:26 次阅读

碳化硅(SiC)功率器件

一、碳化硅功率器件简介

碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括碳化硅二极管和碳化硅晶体管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在电动汽车、可再生能源系统、智能电网、轨道交通等领域具有广泛的应用前景。

二、碳化硅功率器件的优势

高效率:碳化硅功率器件具有较低的导通电阻和开关损耗,因此在电力转换系统中能够显著提高能源转换效率,降低能源损失。

高频率:碳化硅功率器件的开关速度较快,能够在较高频率下工作,从而减小了电力电子系统的体积和重量,提高了系统的紧凑性和动态响应性能。

高温稳定性:碳化硅材料具有高熔点和高热导率,因此碳化硅功率器件能够在高温环境下稳定工作,适用于需要高温应用的场合。

高压:碳化硅材料的击穿电场强度较高,因此碳化硅功率器件能够承受更高的电压和电流,适用于高压和大功率应用。

环保:碳化硅功率器件的能耗较低,能够减少能源的浪费和二氧化碳的排放,有利于环境保护。

三、碳化硅功率器件的应用

电动汽车:碳化硅功率器件的高效率、高频率和高温稳定性等特点,使其成为电动汽车电机控制器和充电桩等关键部件的理想选择。使用碳化硅功率器件能够提高电动汽车的能源利用效率,延长续航里程,同时减小电机控制器的体积和重量,提高车辆的动力性能和舒适性。

可再生能源系统:碳化硅功率器件适用于风力发电和太阳能发电等可再生能源系统中的功率转换和控制。其高效率和低损耗特性有助于提高发电效率,减小能源损失,同时减小系统的体积和重量,便于安装和维护。

智能电网:碳化硅功率器件在智能电网中用于实现高效、灵活的电能管理和控制。其高速开关响应和低损耗特性有助于提高电网的稳定性和可靠性,降低电力损耗,提高电力传输和分配的效率。

轨道交通:碳化硅功率器件适用于轨道交通中的牵引系统和辅助电源系统。其高效率和高温稳定性能够提高列车牵引效率,减小能源损失,同时减小牵引系统的体积和重量,提高列车的运行稳定性和可靠性。

工业自动化:碳化硅功率器件在工业自动化领域中广泛应用于电机驱动、自动控制系统和电网监控系统等。其高效率和快速响应特性能够提高生产效率和设备可靠性,降低维护成本。

四、碳化硅功率器件的发展趋势

随着技术进步和应用需求的增长,碳化硅功率器件的发展趋势主要包括以下几个方面:

优化结构设计:通过改进器件结构和工艺参数,提高碳化硅功率器件的性能指标和可靠性,进一步拓展其应用领域。

降低制造成本:采用先进的制造技术和材料优化,降低碳化硅功率器件的制造成本,提高生产效率,推动其在更多领域得到广泛应用。

集成化和模块化:将多个碳化硅功率器件集成在一起或者与其他电子器件集成,形成模块化解决方案,简化电路设计和应用维护。

智能化控制:开发具有自诊断和保护功能的智能控制算法,实现对碳化硅功率器件的智能化控制和优化管理。

多学科交叉融合:加强与材料科学、微电子学、电力电子学等相关学科的交叉融合,推动碳化硅功率器件的创新和发展。

五、总结

碳化硅功率器件作为一种新型的电力电子器件,具有显著的优势和应用前景。随着技术进步和应用需求的不断增长,碳化硅功率器件的发展趋势将更加多元化和创新性。未来,随着材料制备技术、芯片设计技术、封装测试技术的不断突破和完善,碳化硅功率器件将在更多领域得到广泛应用和推广,为人类的生产和生活带来更多的便利和创新。

无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业,从事碳化硅场效应管,碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内,并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。

公司具有国内领先的研发实力,专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力。

公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品,性能达到国际先进水平,应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性,即使在高温条件下也能体现优异的电气特性,大幅降低开关损耗,使元器件更小型化及轻量化,效能更高效,提高系统整体可靠性,可使电动汽车在续航里程提升10%,整车重量降低5%左右,并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。

特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm光敏光栅开关PVG芯片技术,并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrms SOP超小封装及3750kVrms隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装,单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品,均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。

公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位,并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术,拥有多项国际、国内自主发明专利。

“国之重器,从晶出发,自强自主,成就百年”是国晶微半导体的企业目标,我们为员工提供精彩的发展空间,为客户提供精良的产品服务,我们真诚期待与您携手共赢未来。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:碳化硅功率器件简介!

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