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常见电源拓扑及产品介绍

力特奥维斯Littelfuse 来源:力特奥维斯Littelfuse 2024-01-11 11:21 次阅读

作者:Littelfuse客户经理Rambo Liu

22下面是一段可以忽略的随笔,可以直接跳到下下段开篇。

去年源自危机感开的公众号,自从技术转岗业务,加上市场趋势向下,总觉得要多积累一些东西来增加自身的价值,也逐渐理解业务未必就是把技术放下,也意识到哪怕不放下也没那种强烈驱动力继续专研技术,大概是惰性使然。一直都不爱看书,又特别倾佩爱看书的人,接触过一些爱看书的人,总觉得他们都是妥妥的智者,但还是提不起兴致去效仿,除非碰到工作相关需要去深挖的,反倒是可以静下心去学习专研,再者就是百万字小说看过不少,从来不求甚解,读其形而略其魂,好看的事物感觉在心间,不可表述。每个岗位都有自己的特色与技巧,有困难与收获,偶尔静下来的时候还觉得危机四伏,这个时候总得觉得要有所表现,于是这篇文章就东拼西凑出来了,关于电子产品这事物多姿又相通的,略其形而记其魂,万变不离其宗,没有定式却可借鉴。

常见拓扑

本章主要介绍电源常见拓扑以及相应的解决方案,电源拓扑形态各异,又是几种基本拓扑的衍生与组合,如下拓扑只作参考,感兴趣想深入挖掘的可以网上搜索其工作机理与时序等。

单向交错PFC+LLC

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单向三通道交错PFC+全桥

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单向三相PFC+LLC

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双向图腾PFC+LLC

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向三通道交错图腾PFC+移相全桥

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向三相图腾PFC+LLC

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移相全桥+全波整流

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移相全桥+全桥整流

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同步升压+LLC+全波整流

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移相全桥+倍流

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三相维也纳+“I”三电平移相全桥

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反激

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产品介绍

实际涉及到的产品可以参考下图,从交直流输入端用的过流保护器件保险丝,滤波回路并联的压敏电阻与气体放电管作为雷击浪涌保护,DC/DCDC/AC涉及到MOSFET/IGBT/Diode/Thyristor/驱动IC以及尖峰电压保护TVS,交直流电流检测采用电流传感器或者精密电阻,交直流输出端采用过流保险丝,软件编程用到拨码开关,电源按键开关,如果是储能产品还会用到TVS/ESD/PTC以及三端保险丝作为BMS保护。产品系列相对较多,电气参数、结构尺寸与安装方式差异需根据设计需求调整。

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另外再次分享以往的文章介绍到两个非常实用又高性价比的方案,碰到过问题的人才会有种相见恨晚的感觉,小东西解决大麻烦必备神器。

功率器件过压保护方案:有源钳位

如下为典型的有源钳位电路,此电路里面采用2个TVS串联构成,其优点体现在可以耐受更高回路电压,同时可以吸收更大的浪涌能量。其工作原理为:在IGBT集电极电压过高时TVS被击穿,通过限流电阻流进门极,门极电容被充电,在门极电阻Rg两端叠加左负右正电压,因此Vge电压得到抬升,从而使IGBT延缓关断,di/dt斜率变缓,杂散电感产生的电压尖峰减小。

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如下两图为实测结果,可见回路杂散电感较大,此时未加TVS的IGBT两端电压Vce达到1098V,而加TVS后Vce电压为591V,通过IGBT进入非线性区的方式来吸收浪涌,IGTB芯片较大而不会损坏,同时TVS可以采用SMB封装DO-214AA,小尺寸办大事。

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雷击浪涌低残压方案:MOV+Sidactor‍

在实际项目有时会遇到压敏电阻残压太高的情况,常见的解决方案为选择更大尺寸的压敏或者采用2-3级压敏方案,甚至第三级采用TVS,不止成本增加,布板空间也被挤占。

如下针对单相电源MOV+Sidactor方案,横坐标为浪涌电压,纵坐标为残压,可以看出MOV+Sidactor可以降残压300+V,对于后级MOSFET/IGBT电压的应力就小很多。

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同时在高压下MOV+Sidactor方案漏电流更小,我们都知道压敏作为材料器件,浪涌次数不是无限次的,打一次就衰减一次,其漏电流可能因此增加,到后面出现失效的情况,而MOV+Sidactor通过减小漏电流的方式可以延长其使用寿命。

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关于保护器件与功率器件等产品系列有非常多,想想还是不一一罗列了,感兴趣的可以翻翻以往的文章。类似的项目应用都有可能选到不一样的产品规格,这个跟研发习惯与设计需要达到的效果都有关系,也是百舟争渡又各自独具特色,理工人的魅力。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:[技术浅谈] 常见电源拓扑及产品介绍

文章出处:【微信号:Littelfuse_career,微信公众号:力特奥维斯Littelfuse】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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