适用于PLC的MRAM HS4MANSQ1A-DS1
PLC是工业自动化系统的核心组成部分，PLC在工作过程中将实时产生过程和结果数据，需要存储器具有快速读写及百亿次擦写寿命等特性，该存储需求超出了常规非易失存储器的能力。
MRAM的擦写寿命高达万亿次，可支持连续20年毫秒级间隔的擦写操作。还具有纳秒级高速写入特性，可以在异常掉电瞬间完整地保存PLC产生的过程和结果数据，而无需备份电池。非常适合工控场景需求，并且可以替代现有的备用电池方案。
MRAM HS4MANSQ1A-DS1容量为4Mbit，支持SPI/QPI(串行单线/四线接口)模数。芯片可配置为1位I/O独立接口或4位I/O通用接口，SOP8封装，由于在存储器阵列中采用MRAM技术，存储阵列中的数据将保持10年以上，可以保证PLC系统长期稳定的运行。
HS4MANSQ1A-DS1封装图
低功耗是PLC系统重要指标之一，MRAM HS4MANSQ1A-DS1单一电源VCC仅3.3V，待机电流只有2mA，休眠电流仅有2μA，可以很好的节省系统功耗。从耐久度上来看，HS4MANSQ1A-DS1在105℃环境下数据可以保留10年以上，85℃环境下数据可以保留20年以上，性能远超过传统非易失闪存的使用寿命，由此可见，国芯思辰MRAM HS4MANSQ1A-DS1非常适合PLC系统。
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