1月11日,日本半导体大厂瑞萨电子和氮化镓(GaN)器件领导者Transphorm宣布双方已达成最终协议,根据协议,瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm,较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%,总估值约为3.39亿美元(当前约为24.08亿人民币)。
该交易预计将于2024年下半年完成,具体取决于Transphorm股东的批准、所需的监管许可以及其他惯例成交条件的满足。
公告称,此次收购将为瑞萨电子提供自主的GaN技术,从而将其业务范围扩大到电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电力转换等快速增长的市场。
瑞萨现在计划通过整合Transphorm在GaN方面的专业知识,进一步扩大其WBG产品组合,GaN是一种新兴材料,可以实现更高的开关频率、更低的功率损失和更小的尺寸。这些优势使客户的系统具有更高的效率、更小更轻的组成以及更低的总体成本。
瑞萨首席执行官Hidetoshi Shibata表示:“Transphorm公司是一家由在GaN功率领域经验丰富的团队领导的独特公司,其源于加利福尼亚大学圣巴巴拉分校,” “引入Transphorm的GaN技术将在我们在IGBT和SiC方面的势头上构建,它将作为增长的关键支柱,推动和扩展我们的电源产品组合,为客户提供选择最佳电源解决方案的完整能力。”
Transphorm的联合创始人、总裁兼首席执行官Dr. Primit Parikh和联合创始人兼首席技术官Dr. Umesh Mishra表示:“结合瑞萨的全球影响力、丰富的解决方案和客户关系,我们很高兴为全行业采用WBG材料铺平道路,并为显著增长创造条件。此次交易还将使我们能够为客户提供进一步扩展的服务,并为我们的股东提供显著的即时现金价值,” “此外,它将为我们卓越的团队提供一个强大的平台,进一步推动Transphorm的领先GaN技术和产品。”
审核编辑:黄飞
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原文标题:24亿!瑞萨收购!
文章出处:【微信号:CSF211ic,微信公众号:中国半导体论坛】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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