SK海力士拟将无锡C2工厂升级为第四代D-ram工艺，并引进EUV技术

据《首尔经济日报》报道，SK海力士计划于2024年前完成对其位于中国无锡C2工厂的改造工作，使之成为具备10纳米级第四代（1a）D-ram技术的新生产线。此生产线目前占据Sk海力士D-RAM总产量的大约40%。

Sk海力士期望通过在无锡工厂完成第四代D-RAM制造环节中的部分工艺流程，随后将芯片运回韩国总部利川园区进行EUV处理，最后送回无锡工厂进行后续操作。尽管第四代产品仅需一层使用EUV工艺，但公司仍认为增加的成本是合理可承受的。

鉴于无锡工厂曾遭遇2013年火灾导致D-RAM生产停滞，该公司为此积累了丰富的恢复重建经验。而对于如何实施无锡工厂工艺转型，SK海力士并未透露具体的运营计划信息。