0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

至信微发布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-01-16 15:45 次阅读

深圳市至信微电子有限公司(简称:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上,至信微发布了一系列行业领先的SiC芯片,其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ两款产品

至信微的SiC芯片以其卓越的性能和领先的指标,再次证明了公司在半导体领域的领先地位。尤其是1200V/7mΩ这款产品,其强大的性能指标和极具竞争力的成本优势,使得其在市场中独树一帜。

至信微副总经理王仁震在会上表示,SiC芯片的高良率是实现这一优势的关键因素。得益于公司先进的制程技术和严格的质量控制,至信微的晶圆裸片具有超高良率,从而确保了产品的可靠性和稳定性。

此次新品发布不仅展示了至信微在半导体领域的强大实力,也表明公司致力于创新和研发的决心。至信微将继续秉承科技创新、品质卓越的理念,为广大客户提供更优质、更可靠的产品和服务。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    453

    文章

    50360

    浏览量

    421635
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    26988

    浏览量

    215995
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    29

    文章

    2757

    浏览量

    62430
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    东芝推出全新1200V SiC MOSFET

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其创新的结构可实现低
    的头像 发表于 11-21 18:10 148次阅读
    东芝推出全新<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET

    纳芯发布首款1200V SiC MOSFET,为高效、可靠能源变换再添助力!

    纳芯推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为60mΩ,具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-
    的头像 发表于 10-29 13:54 190次阅读
    纳芯<b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>发布</b>首款<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET,为高效、可靠能源变换再添助力!

    1200V GaN又有新玩家入场,已进入量产

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)最近,又有国内GaN厂商成功突破1200V GaN器件技术。7月26日,宇腾科技在社交平台上宣布公司自主研发生产的蓝宝石基GaN功率器件工作电压达到1200V,已进入
    的头像 发表于 07-31 01:06 3353次阅读

    新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展

    新品采用1200VSiCM1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展1200V的62mmCoolSiCMOSFET半桥模块现已上市。由于采用了M1H芯片
    的头像 发表于 06-26 08:14 348次阅读
    新品 | 采用<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>M</b>1H<b class='flag-5'>芯片</b>的62mm半桥模块系列产品扩展

    瞻芯电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证

    近日,上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试
    的头像 发表于 06-24 09:13 741次阅读
    瞻芯电子第三代<b class='flag-5'>1200V</b> 13.5<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET通过车规级可靠性测试认证

    Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
    的头像 发表于 05-23 11:34 872次阅读

    纳芯推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列

    纳芯近期发布了其首款1200V SiC MOSFET产品——NPC060N120A系列,该系列产品的RDSon值低60
    的头像 发表于 05-13 15:27 847次阅读

    昕感科技发布一款1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0

    近日,昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0,导通电阻在15
    的头像 发表于 05-11 10:15 822次阅读
    昕感科技<b class='flag-5'>发布</b>一款<b class='flag-5'>1200V</b>低导通电阻<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET产品N2<b class='flag-5'>M</b>120013PP0

    纳芯发布首款1200V SiC MOSFET

    纳芯近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列产品NPC060N120A,其RDSon值低60mΩ,展现了出色的导电性能。
    的头像 发表于 05-06 15:20 624次阅读

    纳芯推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品

    纳芯推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为60mΩ,具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-
    的头像 发表于 04-17 14:02 656次阅读
    纳芯<b class='flag-5'>微</b>推出<b class='flag-5'>1200V</b>首款<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET NPC060N120A系列产品

    纳芯发布首款1200V SiC MOSFET

    纳芯推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为60mΩ,具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-
    的头像 发表于 04-17 13:37 382次阅读
    纳芯<b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>发布</b>首款<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET

    瞻芯电子推出一款车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    近日,瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z,该模块产品及其采用的1200V 80mΩ S
    的头像 发表于 04-07 11:37 1522次阅读
    瞻芯电子推出一款车规级<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b>三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧

    安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)
    的头像 发表于 03-28 10:01 1285次阅读
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b>碳化硅MOSFET <b class='flag-5'>M</b>3S系列设计注意事项和使用技巧

    安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

    安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名为M3S,其中S代表开关。
    的头像 发表于 03-26 09:57 1470次阅读
    安森美<b class='flag-5'>发布</b>了第二代<b class='flag-5'>1200V</b>碳化硅 (<b class='flag-5'>SiC</b>) MOSFET—<b class='flag-5'>M</b>3S

    Qorvo发布紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块

    全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4m
    的头像 发表于 03-03 16:02 857次阅读