半导体资料丨铌酸锂光子集成电路、碳化硅光子应用、ACL蚀刻

硅衬底上的高度规模化 GaN 互补技术

本文报道了GaN互补技术（CT）在硅衬底上的扩展到

突破了电路级应用的性能极限。高度缩放的自对准（SA）p沟道FinFET（鳍宽度为20 nm）实现了−300 mA/mm的ID，最大值和27Ω·mm的RON，创下了金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的III族氮化物p-FET的记录。

高密度铌酸锂光子集成电路

在这里，我们证明了类金刚石碳（DLC）是制造基于铁电体的光子集成电路的优越材料，特别是LiNbO3。使用DLC作为硬掩模，我们展示了深蚀刻、紧密限制、低损耗波导的制造，损耗低至4dB/m。与广泛使用的脊形波导相比，这种方法受益于一个数量级以上的更高面积集成密度，同时保持高效的电光调制、低损耗，并为高效的光纤接口提供了一种途径。

碳化硅的新型光子应用

碳化硅（SiC）因其独特的光子特性而在新型光子应用中迅速崛起，这得益于纳米技术的进步，如纳米制造和纳米膜转移。本文将首先介绍碳化硅的特殊光学性质。然后，讨论了一种关键结构，即绝缘体上碳化硅叠层（SiCOI），它为高质量因数和低体积光学腔中的紧密光约束和强光SiC相互作用奠定了坚实的基础。

稀有气体对二氧化硅薄膜ACL蚀刻选择性的影响

在本研究中，我们研究了在具有低频（2MHz）偏置源的电感耦合等离子体系统中，四氟甲烷/全氟环丁烷/Ar/He气体混合物中的Ar/He混合比对等离子体参数、SiO2蚀刻动力学和相对于非晶碳层（ACL）掩模的蚀刻选择性的影响。研究发现，主要载气的类型确实通过离子通量和CFx/F比的变化来影响输出工艺特性，从而决定等离子体聚合能力。特别是，富氦等离子体在ACL掩模的表面处理和SiO2/ACL蚀刻选择性方面表现出更好的性能。

关键词：互补、FinFET、氮化镓、GaN-on-Si、n-FET、p通道场效应晶体管（p-FET）、缩放、自对准（SA）、晶体管、碳化硅、综合光子学、非晶碳层、电感耦合等离子体蚀刻、离子辅助蚀刻、低频偏置功率、铌酸锂、光子集成电路

审核编辑 黄宇