简单认识发射极关断晶闸管
发射极关断 (Emitter Turn-Off， ETO）晶闸管具有栅极截止晶闸管的耐高电压和高电流的能力．以及易于控制 MOS 栅极的优点，其他功能包括高电压电流整流能力和器件电流检测能力。ETO 晶闸管的结构原理图与电路符号如图 2-92 所示。
VQᴳ充当栅极开关并与栅极 1相连。ETO 晶闸管是由发射极开关即低压MOSFET( VQᴳ是pMOSFET， VQᴮ是nMOSFET）和 GTO 晶闸管串联组成的功率器件。在栅极 2 和栅极3 上施加正电压就打开器件，此時 VQᴳ关断，VQᴮ开启，阴极电压通过 VQᴮ,加到 GTO 晶闸管上使 GTO 晶闸管开始导通。在栅极2 和栅极3上施加负电压则关断器件，此时 VQᴮ关断而 VQᴳ打开，GTO 晶闸管的电流全部经由栅极 1和VQᴳ流至阴极。因为从阳极流人的电流只流经 pnp 晶体管而不流过第一个pn 结J¹，GTO 晶闸管的正反馈环路就被破坏，使器件得以关断。在开放式pnp 模式下，关断npn 晶体管是实现高速和大截止电流能力的关键。ETO晶闸管使用阳极电流来提供关断能量，与 IGCT 的技术相比，ETO 晶闸管大大节省了高频操作所需的驱动功率，其开启与关断都是通过低电压MOS管的栅极电压来控制的。
审核编辑：汤梓红
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
串联
+关注
关注
6文章
417浏览量
37523 -
晶闸管
+关注
关注
35文章
1098浏览量
77078 -
MOS管
+关注
关注
108文章
2389浏览量
66556 -
GTO
+关注
关注
0文章
25浏览量
7476
原文标题：发射极关断晶闸管，發射極關斷晶閘管，Emitter Turn-Off Thyristor
文章出处：【微信号：Semi Connect，微信公众号：Semi Connect】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
简单认识栅极关断晶闸管
双极功率晶体管的电流放大倍数和通态特性会随着电压级别的增加而迅速降低，因此抑制了其在电压高于2kV 牵引设备（如电力机车） 应用中的发展。在直流电路中，将晶闸管结构设计成利用栅极信号就可以控制开启
发射极接地电路的定义和特点
发射极接地是一种电路配置，其中放大管（如晶体管）的发射极与地（或参考电压）相连。在发射极接地电路中，放大管的输入信号通过发射极电流控制放大管的操作。
在基本公共发射极放大器电路中发射极电阻的作用详解
的电容电抗，最多为发射极电阻器R E的值的十分之一（1/10）。然后假设要放大的最低信号频率为100 Hz。旁路电容器C E的值计算如下：发射极旁路电容那么对于我们上面的简单公共发射极
发表于 11-10 09:17
在基本公共发射极放大器电路中发射极电阻的作用详解
截止频率点的电容电抗，最多为发射极电阻器R E的值的十分之一（1/10）。然后假设要放大的最低信号频率为100 Hz。旁路电容器C E的值计算如下：发射极旁路电容 那么对于我们上面的简单公共发
发表于 06-28 10:22
单管共发射极放大电路的学习课件
本文档的主要内容详细介绍的是单管共发射极放大电路的学习课件免费下载包括了：单管共发射极放大电路的组成，单管共发射极放大电路的工作原理
发表于 12-16 08:00
•1次下载
共发射极放大器的特性和偏置，共发射极放大电路应用
这种配置称为共发射极配置，因为这里发射极用作输入基极信号和输出负载的公共负端子。换句话说，发射极端子成为输入级和输出级的参考端（意味着基极和集电极端共用）。
PNP晶体管的通用发射极配置
在PNP的共发射极配置中，晶体管发射极是输入侧和输出侧共用的端子。要放大的信号施加在构成输入电路的基极和发射极之间，而放大的输出电压则在形成输出电路的集电极到发射极的负载阻抗上产生。
工商网监
评论