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JTAG接口浪涌静电保护方案图分享

杭州东沃电子科技有限公司 来源:杭州东沃电子科技有限公 2024-01-19 18:08 次阅读

JTAG接口是一类下载程序的接口,而且也是一类经常带电拔插的接口。

众所周知,带电拔插会不可避免地产生一些浪涌或ESD静电放电,为此,如果不采取一些防护措施,极易因为浪涌ESD静电放电而击穿JTAG相关引脚,甚至损害CPU内部核心器件,从而造成内部电路的永久性损坏。针对JTAG接口浪涌静电问题,东沃电子技术设计了保护方案图并推荐了对应型号的保护器件。

东沃JTAG接口浪涌静电保护方案图(ESD二极管篇)

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从方案图中可知,东沃电子技术推荐选用4颗ESD二极管DW03DPF-B-S为其接口保驾护航。东沃DW03DPF-B-S5工作电压3.3V、钳位电压9.4V、低漏电流0.5uA、结电容低至60pF。根据IEC 61000-4-2,可用于提供高达±30kV(空气放电)/±30kV(接触放电)的ESD保护;根据IEC 61000-4-5,可承受30A(8/20us)的峰值脉冲电流,330W(8/20us)的峰值脉冲功率,对接口芯片提供可靠的静电和浪涌保护。东沃DW03DPF-B-S,双向,采用DFN1006-2L小封装,方便PCB布线。

东沃JTAG接口浪涌静电保护方案图(肖特基二极管篇)

51c38532-b6af-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

从方案图中可知,东沃电子技术采用钳位二极管对信号接口进行保护。二极管选用了东沃电子推出的肖特基二极管BAT54S,该器件反向截至电压为30V,正向电流0.2A,漏电低至2uA。在芯片3.3V工作电压下,可将信号电平钳位在±4.1V左右,从而更好地保护接口芯片免受静电或浪涌的影响。

JTAG接口浪涌静电保护器件参数

1)ESD二极管DW03DPF-B-S参数

查看东沃电子“ESD-DW03DPF-B-S Datasheet”产品规格书可知,其参数详情如下:

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2)肖特基二极管BAT54S参数

查看东沃电子“SBD-BAT54~BAT54S (SOT-23) Datasheet”产品规格书可知,其参数详情如下:

51dde800-b6af-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

以上是东沃JTAG接口浪涌静电经典保护方案设计图。





审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
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原文标题:JTAG接口浪涌静电保护方案图

文章出处:【微信号:杭州东沃电子科技有限公司,微信公众号:杭州东沃电子科技有限公司】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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