三星试产第二代3纳米工艺SF3，2024年下半年大规模量产
三星半导体近日宣布，已经开始试产第二代3纳米工艺SF3。这一里程碑式的事件，突显了三星与台积电在先进工艺节点上的激烈竞争。
SF3工艺的独特之处在于其实现了在同一单元内调整不同环栅（GAA）晶体管纳米片沟道宽度。这一创新为芯片设计提供了更大的自由度，从而降低功耗、提升性能，并优化晶体管密度。
三星计划在未来六个月内将SF3工艺的良率提升至60%以上。目前，该公司正在对使用此工艺制造的芯片进行性能和可靠性测试。首款采用SF3工艺的芯片将是一款专为可穿戴设备设计的应用处理器，预计将在今年晚些时候发布的Galaxy Watch 7等产品中亮相。
三星表示，他们计划从2024年下半年开始大规模量产SF3芯片。在2023年至2024年期间，三星将以3纳米工艺为主，包括SF3（3GAP）和改进版本SF3P（3GAP+）。此外，该公司还计划在2025年至2026年推出2纳米工艺节点。
三星在晶圆代工领域的突破为全球芯片产业带来了新的技术革新和竞争格局。这一进展无疑将进一步推动半导体技术的进步，并有望为未来的电子产品带来更强大的性能和更低的功耗。
审核编辑：黄飞
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
456文章
50968浏览量
425042 -
晶圆代工
+关注
关注
6文章
859浏览量
48619 -
3纳米
+关注
关注
0文章
32浏览量
5177 -
三星
+关注
关注
1文章
1550浏览量
31329
发布评论请先 登录
相关推荐
三星3nm良率仅20%，仍不放弃Exynos 2500处理器，欲打造“十核怪兽”
，导致Exynos 2500良率不佳的原因是，这颗SoC基于三星第二代3nm GAA制程工艺——SF3工
AMD推出第二代Versal Premium系列
近日，AMD（超威，纳斯达克股票代码：AMD ）今日宣布推出第二代 AMD Versal Premium 系列，这款自适应 SoC 平台旨在面向各种工作负载提供最高水平系统加速。第二代 Versal
三星电子计划2024年下半年推出CXL存储
随着人工智能（AI）领域数据处理需求的爆炸性增长，全球存储厂商正竞相研发下一代存储解决方案，以应对这一挑战。三星电子在这一赛道上尤为亮眼，其在Compute Express Link（CXL）高速互联存储技术上的领先地位尤为显著，并计划于
东芝12英寸功率半导体厂完工，预计2024年下半年量产
日本东芝电子元件及存储装置株式会社（TOSHIBA）近日宣布，其12英寸晶圆功率半导体制造工厂及办公大楼建设已全面完成。目前，该工厂正忙于安装相关生产设备，预计将在2024财年的下半年开始大规模生产。
三星和SK海力士下半年停产DDR3内存
近日，三星和SK海力士宣布，将于下半年停止生产并供应DDR3内存，转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
消息称三星第二代3nm产线将于下半年开始运作
三星电子近日宣布，将在7月的巴黎Galaxy Unpacked活动中，向全球展示其最新研发的3nm技术芯片Exynos W1000。这款尖端芯片将首次应用于下一代Galaxy系列智能手表Galaxy Watch7和高端智能手机G
三星AI推理芯片Mach-1下半年量产，4nm工艺服务器级算力加持
三星已制定了Mach-1的生产计划：预计今年下半年实现量产，年底完成芯片交付，明年第一季度推出基于此芯片的推理服务器。此外，三星已获得Naver高达1万亿韩元（约合52.8亿元人民币）
三星电子澄清：3nm芯片并非更名2nm，下半年将量产
李时荣声称，“客户对代工企业的产品竞争力与稳定供应有严格要求，而4nm工艺已步入成熟良率阶段。我们正积极筹备后半年第二代3nm工艺及明年2n
三星半导体将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”！
近期，科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策：将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
三星：全新的可穿戴设备Galaxy Ring可能会在2024年下半年正式成形
在上个月的Galaxy Unpacked上，三星表示全新的可穿戴设备Galaxy Ring可能会在2024年下半年正式成形。
三星启动二代3纳米制程试制，瞄准60%良率
台积电是全球领先的半导体制造企业，也是三星的主要竞争对手。双方都在积极争取客户，并计划在上半年实现第二代3纳米GAA架构制程的
工商网监
评论