如今,人工智能应用都需要使用存内计算、存算一体等非冯架构,更紧密地将处理器与存储器进行结合。当今先进的AI芯片中的磁存储器可高达芯片面积的70%。磁存储器具有媲美SRAM的高速随机读写特性,满足数据高速处理的需求。
并且磁存储器的存储单元只需要1个晶体管(SRAM需6个晶体管),使用磁存储器替代SRAM时,可以将内存所需面积减少大约25%。另外磁存储器还具有良好的数据非易失性,可以大幅降低芯片静态功耗。因此磁存储器可以作为人工智能应用的理想选择。本文主要介绍磁存储器HS4MANSQ1A-DS1的应用特征。
![HS4MANSQ1A-DS1封装图.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BD/22/wKgaomWgmySAfbCzAABDgM2x32I283.png)
HS4MANSQ1A-DS1是一个大容量4Mbit的国产磁存储器,SPI/QPI(串行单线/四线接口)。该芯片可配置为1位I/O独立接口或4位I/O通用接口,而且HS4MANSQ1A-DS1存储阵列中的数据可以保持10年以上,适用于工业、工业等众多应用场景。
磁存储器特点如下:
1、低电压操作:单一电源,VCC 3.3V(标准电压)
2、数据保护:软保护模式,BP0, BP1 在模式寄存器#1
3、电力消耗:休眠电流 2μA (典型值)
待机电流 2mA (典型值)
写电流 12mA (典型值 @SPI 200MHz)
读电流 5.2mA (典型值 @SPI 100MHz)
4、可靠性:数据保留>10年@105℃
数据保留>20年@85℃
5、工作温度范围:-40℃~125℃
6、封装:SOP8
注:如涉及作品版权问题,请联系删除。
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